[发明专利]包括铁电晶体管和非铁电晶体管的集成式组合件

权利要求书

1.一种集成式组合件，其包括：

半导体结构，其与导电结构耦合；

铁电晶体管，其包括邻近所述半导体结构的第一区的第一晶体管栅极；以及

非铁电晶体管，其包括邻近所述半导体结构的第二区的第二晶体管栅极；所述半导体结构的所述第二区在所述半导体结构的所述第一区和所述导电结构之间。

2.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一区的组成与所述第二区相同。

3.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一区的组成不同于所述第二区。

4.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中所述第一和第二晶体管栅极彼此竖直地间隔开。

5.根据权利要求4所述的集成式组合件，其中所述第一和第二晶体管栅极耦合到彼此不同的电压源。

6.根据权利要求4所述的集成式组合件，其中所述第一和第二晶体管栅极耦合到公共电压源。

7.根据权利要求1所述的集成式组合件，其中单个导电结构包括所述第一和第二晶体管栅极。

8.根据权利要求7所述的集成式组合件，其中所述单个导电结构具有所述第一晶体管栅极中的一个区，所述区的组成与所述第二晶体管栅极中直接抵靠所述第一晶体管栅极的所述区的区不同。

9.一种集成式组合件，其包括：

半导体结构，其从第一线路延伸到第二线路；

铁电晶体管，其包括邻近所述半导体结构的第一区的第一晶体管栅极；

第一非铁电晶体管，其包括邻近所述半导体结构的第二区的第二晶体管栅极；所述半导体结构的所述第二区在所述半导体结构的所述第一区和所述第一线路之间；以及

第二非铁电晶体管，其包括邻近所述半导体结构的第三区的第三晶体管栅极；所述半导体结构的所述第三区在所述半导体结构的所述第一区和所述第二线路之间。

10.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述第一、第二和第三晶体管栅极与公共电压源耦合。

11.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述第二和第三晶体管栅极与公共电压源耦合，并且其中所述第一晶体管栅极与不同于所述公共电压源的另一电压源耦合。

12.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述第一和第二线路是通过感测放大器彼此比较性地耦合的第一和第二数字线。

13.根据权利要求12所述的集成式组合件，其为存储器阵列内的许多大体上相同的存储器单元中的一个。

14.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述第二区在所述第一区上方，所述第一区又在所述第三区上方。

15.根据权利要求9所述的集成式组合件，所述第二和第三区彼此侧向地间隔开。

16.根据权利要求15所述的集成式组合件，其中所述第一区成形为向上开口的容器，其中所述容器的一侧在所述第二区正下方，且其中所述容器的另一侧在所述第三区正下方。

17.根据权利要求9所述的集成式组合件，其中所述第一区直接抵靠所述第二区，并且直接抵靠所述第三区。