[发明专利]用于覆盖用于SiC层沉积的装置的基座的指向过程室的侧面的盖板

说明书

本发明涉及一种用于在平坦的衬底(8)上沉积层的装置，其具有可由加热设备(6)加热的基座(1)，在基座的面向过程室的顶侧面上布置有衬底(8)和包围衬底的盖板(10,15,16)，其中，内盖板(10)分别形成邻接在衬底(8)的面向所述基座(1)的中心(M)的边缘(8’)上的边缘(20)，并且两个在围绕所述中心(M)的周向上并排布置的盖板(10)在分界缝(11)上相互邻接。根据本发明建议分界缝(11)以角度α相对于沿径向穿过所述基座(1)的中心(M)和所述衬底(8)的中心(13)划出的径向线角度错移地延伸。

技术领域

本发明涉及一种用于在平坦的衬底上沉积层的装置，其具有可由加热设备加热的基座，在基座的指向过程室的顶侧面上布置有衬底和包围衬底的盖板，其中，内盖板分别形成邻接在衬底的指向所述基座的中心的边缘上的边缘，并且两个在围绕所述中心的周向上并排布置的盖板在分界缝上相互邻接。

本发明还涉及一种用于这种装置的基座组件。

本发明还涉及一种前述类型的盖板和一种用所述装置、基座覆盖装置和盖板来沉积SiC层的应用，其中，通过气体入口将含有硅和碳的气态的原材料供应到CVD反应器的过程室中并且利用加热设备将衬底加热至大于1000摄氏度，优选大于1300摄氏度的温度。

用于沉积SiC层的装置具有反应器壳体、布置在反应器壳体中的基座、气体入口和气体出口。基座通过加热设备尤其从基座的底侧面加热至大于1000摄氏度的温度，尤其大于1500摄氏度的温度。由两种过程气体和载气构成的气体混合物通过气体入口输送到基座和过程室顶盖之间的过程室中。载气可以是惰性气体、氢气或氮气。过程气体包含硅和碳。含碳的过程气体可以是碳氢化合物或者说烃。含硅的过程气体可以是硅氢化合物。

此外，为了清洁这种过程室可以将清洁气体，例如HCl输送到过程室中。

衬底并排布置在由例如涂覆的石墨构成的基座的指向过程室的表面上，尤其并排布置在围绕基座的中心延伸的圆周线上。此外，盖板也位于基座表面上，盖板也可以被涂层。设置有内盖板，所述内盖板通过径向指向外部的边缘贴靠在衬底的指向中心的边缘上。设置有多个设计相同的盖板，所述盖板沿周向并排并且在分界缝上相互邻接。

背景技术

在从现有技术已知的装置中，分界缝沿径向延伸。延伸穿过分界缝的、假想的延长线延伸穿过基座的中心并且穿过衬底的中心。

在沉积较厚的层时，盖板中出现张力过大。这种张力过大导致盖板的边缘抬起。在原料的流动方向是径向时和尤其在基座围绕中心旋转时，这些干扰会导致衬底上的层不均匀沉积。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供能用于改善横向的层厚度均匀性的措施。

上述技术问题通过权利要求中给出的本发明解决。