[发明专利]分离气体流使用点消除装置在审
| 申请号: | 201980047158.5 | 申请日: | 2019-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN112514041A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | P·J·卡塔兰诺 | 申请(专利权)人: | 海威克公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;G05B19/00 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林伟峰 |
| 地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分离 气体 使用 消除 装置 | ||
1.一种使用点(POU)消除装置,包括:
外壳,具有多个独立流动路径,每个独立流动路径由所述外壳内的对应入口、流动路径和出口来限定,并且被配置成有利于使分离的气体流流动通过相应的独立流动路径;和
一个或多个完全分离的破坏或移除装置,所述一个或多个完全分离的破坏或移除装置设置于所述外壳内的每个流动路径内,其中所述多个独立流动路径被配置成,维持流动通过所述POU消除装置的相应气体流的完全分离。
2.根据权利要求1所述的POU消除装置,还包括:
共用的再循环贮槽和共用的再循环泵,和多个分割壁,所述共用的再循环贮槽和再循环泵用于支持用于所述多个独立流动路径中的每一个的多个湿式洗涤部分,所述多个分隔壁延伸至所述共用的再循环贮槽中,到达所述共用的再循环贮槽的液面下方的点,且不接触所述共用的再循环贮槽的底部,以维持共用的再循环贮槽的所述液面上方的所述气体流的完全分离;或
多个独立再循环贮槽和多个再循环泵,以支持所述多个独立流动路径中的每一个的一个或多个湿式洗涤部分。
3.根据权利要求1所述的POU消除装置,其中所述一个或多个完全分离的破坏或移除装置中的每一个经由共用的控制器进行控制。
4.根据权利要求1所述的POU消除装置,其中所述多个独立流动路径被布置成多对主要流动路径和冗余流动路径,并且还包括:
分别用于所述多个独立流动路径中的每一对路径的旁通/转向阀和相关联的管件,用于选择性地将主要流动路径旁通至对应的冗余流动路径。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的POU消除装置,其中所述一个或多个完全分离的破坏或移除装置包括氧化装置和湿式洗涤塔。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的POU消除装置,其中所述一个或多个完全分离的破裂或移除装置包括:
多个氧化装置,所述多个氧化装置直接地连接至所述多个独立流动路径中的每一个的多个湿式洗涤部分。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的POU消除装置,其中所述一个或多个完全分离的破裂或移除装置包括:
湿式洗涤塔,用于所述多个独立流动路径中的每一个。
8.根据权利要求7所述的POU消除装置,还包括:
多个独立控制阀,用于所述湿式洗涤塔中的每一个。
9.根据权利要求7所述的POU消除装置,其中所述湿式洗涤塔中的每一个包括再循环洗涤部分和下游新鲜溶液洗涤部分。
10.根据权利要求9所述的POU消除装置,还包括:
多个独立控制阀,用于每个独立流动路径的每个独立的新鲜洗涤器,每个独立控制的阀包括单独的流动限制阀,并经由共用的控制器进行控制。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的POU消除装置,其中所述一个或多个完全分离的破裂或移除装置包括:
主要湿式洗涤部分、氧化装置和辅助湿式洗涤部分。
12.根据权利要求11所述的POU消除装置,其中:
所述主要湿式洗涤部分被配置成,以同向流配置进行操作,并且其中所述辅助湿式洗涤部分被配置成,以逆向流配置进行操作;或
所述主要湿式洗涤部分和所述辅助湿式洗涤部分各自配置成以逆向流配置进行操作。
13.根据权利要求11所述的POU消除装置,还包括:
再循环贮槽,所述再循环贮槽联接至所述主要湿式洗涤部分。
14.根据权利要求11所述的POU消除装置,其中所述辅助湿式洗涤部分包括:
双重辅助湿式洗涤部分,所述双重辅助湿式洗涤部分具有联接至再循环贮槽的第一部分,和联接至新鲜溶液源的下游第二部分。
15.一种从对应的多个处理腔室消除多个气体流的方法,包括:
使多个独立气体流从多个处理腔室流动至使用点(POU)消除装置的外壳的多个独立流动路径;
使所述多个独立气体流中的每一个,流动通过设置于每个流动路径内的相应破坏或移除装置,同时维持所述多个独立气体流中的每一个完全地分离,从而至少部分地消除每个独立气体流内的化合物;和
从POU消除装置的所述外壳排出经消除的独立气体流中的每一个;
其中可选地,至少部分地消除每个独立气体流内的化合物包括,使每个独立气体流,流动通过分别设置于每个独立流动路径中的氧化装置或湿式洗涤塔中的至少一个;和
还可选地包括,使所述独立气体流的第一气体流,从所述独立流动路径的第一独立流动路径的主要流动路径,转向至所述第一独立流动路径的冗余流动路径,其中所述冗余流动路径设置于所述外壳内,并且包括一个或多个破坏或移除装置,以至少部分地消除流动通过所述冗余流动路径的所述独立气体流内的化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海威克公司,未经海威克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980047158.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于视频编码的系统和方法
- 下一篇:人造草皮的可膨胀弹性填充组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





