[发明专利]钌硬掩膜方法

权利要求书

1.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

在该衬底上提供目标蚀刻层；

提供覆盖在该目标蚀刻层上的图案化层；

在该目标蚀刻层与该图案化层之间提供包含钌的硬掩膜层；

将该图案化层的图案蚀刻到该硬掩膜层中以形成图案化的硬掩膜层；以及

在使用该图案化的硬掩膜层作为用于蚀刻该目标蚀刻层的掩膜层时蚀刻该目标蚀刻层。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在该目标蚀刻层与该图案化层之间的至少一个附加层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该附加层是抗反射层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该抗反射层是位于该硬掩膜层与该图案化层之间的底部抗反射涂层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该图案化层是光致抗蚀剂层。

6.一种图案化衬底的第一层的方法，该方法包括：

在该衬底上提供图案化的光致抗蚀剂层；

在该衬底上提供该第一层；

在该图案化的光致抗蚀剂层与该第一层之间提供包含钌的硬掩膜层；

将该图案化的光致抗蚀剂层的图案转移到该硬掩膜层中以形成图案化的硬掩膜层；

在形成该图案化的硬掩膜层之后将该图案化的硬掩膜层的图案转移到该第一层；以及

在将该图案化的硬掩膜层的图案转移到该第一层之后去除该图案化的硬掩膜层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，将该图案化的光致抗蚀剂层的图案转移到该硬掩膜层中是使用等离子体蚀刻进行的。

8.如权利要求6所述的方法，其中，将该图案化的硬掩膜层的图案转移到该第一层是使用等离子体蚀刻进行的。

9.如权利要求6所述的方法，其中，该去除该图案化的硬掩膜层是使用利用氧的等离子体过程进行的。

10.如权利要求9所述的方法，其中，将该图案化的硬掩膜层的图案转移到该第一层是使用等离子体蚀刻进行的。

11.如权利要求10所述的方法，其进一步包括在该图案化的光致抗蚀剂层与该硬掩膜层之间提供底部抗反射涂层。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该衬底是在后道处理点或前道处理点的半导体晶片。

13.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

在该衬底上提供目标蚀刻层；

提供覆盖在该目标蚀刻层上的图案化层；

在该目标蚀刻层与该图案化层之间提供包含钌的钌硬掩膜层；

通过使用包含氧的第一等离子体将该图案化层的图案蚀刻到该钌硬掩膜层中以形成图案化的钌硬掩膜层；

在使用该图案化的钌硬掩膜层作为用于蚀刻该目标蚀刻层的掩膜层时蚀刻该目标蚀刻层；以及

在蚀刻该目标蚀刻层之后，使用包含氧的第二等离子体去除该图案化的钌硬掩膜层。

14.如权利要求13所述的方法，其中，该图案化层是光致抗蚀剂层。

15.如权利要求14所述的方法，其进一步包括在该光致抗蚀剂层与该钌硬掩膜层之间提供抗反射层。

16.如权利要求15所述的方法，该衬底是半导体衬底。

17.如权利要求16所述的方法，该目标蚀刻层是后道处理层或前道处理层。

18.如权利要求13所述的方法，其中，该钌硬掩膜层的厚度是20nm或更小。