[发明专利]相位差膜及其制造方法有效
申请号: | 201980043742.3 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN112470046B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 酒井丈也 | 申请(专利权)人: | 林特琅普股份有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;C08F20/30;C08G18/62;C08L33/14;C08L71/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 褚瑶杨;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相位差 及其 制造 方法 | ||
1.一种相位差膜,其由光学各向异性层构成,该光学各向异性层包含液晶性高分子以及交联性化合物和/或柔软性化合物,该液晶性高分子包含具有感光性基且能够形成液晶结构的侧链结构,进一步包含具有交联性官能团的侧链结构,所述光学各向异性层包含交联性化合物的情况下,相对于所述光学各向异性层的总重量,所述交联性化合物的含量为0.01重量%~5重量%,所述光学各向异性层包含柔软性化合物的情况下,相对于所述光学各向异性层的总重量,所述柔软性化合物的含量为1重量%~50重量%,所述交联性化合物是多异氰酸酯系化合物,所述柔软性化合物是聚烷撑二醇。
2.如权利要求1所述的相位差膜,其中,所述具有感光性基且能够形成液晶结构的侧链结构具有选自由下述式(1)、(2)和(3)所表示的侧链结构组成的组中的至少一种结构,
[化1]
式中,t为1~3的整数,R1表示选自氢原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基和卤原子中的1种或2种以上,
[化2]
式中,k为0或1,k为0的情况下,l为0,k为1的情况下,l为1~12的整数;X表示单键、C1-3亚烷基、-C=C-、-C≡C-、-O-、-N=N-、-COO-或-OCO-;W表示香豆素基、肉桂酰基、亚肉桂基、次肉桂基、联苯丙烯酰基、呋喃基丙烯酰基、萘基丙烯酰基、萘基丙烯酸基或它们的衍生物基;R2和R3分别相同或不同,表示选自氢原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基、羧基和卤原子中的1种或2种以上,
[化3]
式中,Y表示-C=C-、-N=N-、-CO-C=C-、-C=C-CO-、-CH=N-或-N=CH-;R4和R5分别相同或不同,表示选自氢原子、烷基、烷氧基、烯基、炔基、羧基和卤原子中的1种或2种以上。
3.如权利要求1或2所述的相位差膜,其中,所述具有交联性官能团的侧链结构具有选自由-(CH2)n-OH和-Ph-COOH组成的组中的至少一种结构,-(CH2)n-OH中,n为1~6的整数,-Ph-COOH中,Ph为二价苯基。
4.如权利要求1或2所述的相位差膜,其中,光学各向异性层包含交联性化合物。
5.如权利要求3所述的相位差膜,其中,光学各向异性层包含交联性化合物。
6.如权利要求1或2所述的相位差膜,其中,光学各向异性层包含柔软性化合物。
7.如权利要求1或2所述的相位差膜,其进行转印而使用。
8.如权利要求3所述的相位差膜,其进行转印而使用。
9.如权利要求4所述的相位差膜,其进行转印而使用。
10.如权利要求5所述的相位差膜,其进行转印而使用。
11.如权利要求6所述的相位差膜,其进行转印而使用。
12.一种相位差膜的制造方法,其是制造权利要求1~11中任一项所述的相位差膜的方法,其包含下述工序:
膜形成工序,将包含能够形成液晶性高分子的材料以及交联性化合物和/或柔软性化合物的光学各向异性材料涂布至基材而形成膜;和
取向控制工序,使所述膜中的液晶性高分子进行取向。
13.如权利要求12所述的相位差膜的制造方法,其中,所述取向控制工序包含下述工序:
干燥工序,使在所述膜形成工序中涂布至基材的涂膜干燥;
偏振光照射工序,对所述干燥工序后的膜照射包含线性偏振光成分的光;和
加热工序,对所述照射工序后的膜进行加热。
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