[发明专利]加热的陶瓷面板

说明书

公开一种用于在处理腔室内分配气体的装置。所述装置具有主体，所述主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在所述分配部分内，以将所述主体加热到高温。桥接件延伸在所述耦接部分与所述分配部分之间。所述桥接件限制所述分配部分与所述耦接部分之间的热传递。

背景技术

技术领域

本公开内容总的来说涉及用于在工艺腔室中分配气体的装置，并更具体地，涉及一种被加热的陶瓷面板。

相关技术的描述

在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)之类的沉积工艺用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。在其它操作中，使用诸如蚀刻之类的层改变工艺来暴露层的一部分以进一步沉积。通常，这些工艺以重复的方式用来制造电子器件(诸如半导体器件)的各个层。

随着对改进的器件的需要持续增长，对制造这种器件所用方法的需要也随之增长。在新的工艺中使用的化学物质(诸如前驱物气体)不断需要增加的工艺控制(诸如温度控制)以进行此类工艺。因此，本领域中需要能够为器件制造和处理提供增加的温度控制的工艺腔室部件。

发明内容

在一个实施方式中，一种面板具有主体，所述主体由加热器层和电极层形成。所述电极层的外径限定所述主体的分配部分。多个孔径在所述分配部分内穿过所述主体形成，以用于使气体从其中通过。加热器设置在所述加热器层内以加热所述主体。桥接件环绕所述分配部分并将所述分配部分耦接到耦接部分。

在另一个实施方式中，一种面板具有主体，其中所述主体由电极层、加热器层和接地层形成。粘结层设置在所述电极层与所述加热器层之间和所述加热器层与所述接地层之间。多个孔径形成为穿过所述主体。每个孔径具有第一端和第二端，其中所述第一端位于所述主体的外表面处，并且每个孔径的所述第二端流体地耦接到设置在所述电极层中的一个或多个喷嘴。所述主体还包括热扼流圈。

在另一个实施方式中，一种气体分配装置具有陶瓷主体。所述主体由第一层、第二层和第三层形成。穿过所述陶瓷主体形成多个孔径。加热器设置在所述第一层中，并且电极设置在所述第二层中。桥接部分从第三层垂直地延伸。耦接部分设置在所述桥接部分的与第三层相对的一端处。所述桥接部分是热扼流圈，所述热扼流圈限制从所述加热器到所述耦接部分的热传递。

附图简述

为了能够详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可以参考实施方式进行对上文简要地概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式被示于图中。然而，应注意，附图仅示出了示例性实施方式，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开内容可以允许其它等效实施方式。

图1示出了根据本公开内容的一个实施方式的示例性工艺腔室的示意性布置。

图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。

图3示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。

图4示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。

图5示出了根据本公开内容的另一个实施方式的示例性面板的示意性布置的横截面。

为了促进理解，已经尽可能使用相同的附图标号标示附图共有的相同要素。将设想，一个实施方式的元素和特征可以有益地并入其它实施方式，而不再进一步叙述。

具体实施方式

本公开内容总的来说涉及一种用于工艺腔室中的气体分配的装置。更具体地，本公开内容的方面涉及一种陶瓷面板。面板具有陶瓷主体，所述陶瓷主体由分配部分形成，所述分配部分被耦接部分环绕。加热器设置在分配部分内，以将主体加热到高温。桥接件在耦接部分与分配部分之间延伸。桥接件限制分配部分与耦接部分之间的热传递。