[发明专利]加热的陶瓷面板在审
| 申请号: | 201980024717.0 | 申请日: | 2019-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN111954927A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
| 发明(设计)人: | J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·H·考齐 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L23/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热 陶瓷 面板 | ||
1.一种用于处理基板的面板,包括:
主体,所述主体由加热器层和电极层形成,其中所述电极层的外径限定所述主体的分配部分;
多个孔径,所述多个孔径被形成为在所述分配部分内穿过所述主体;
加热器,所述加热器设置在所述加热器层内;和
桥接件,所述桥接件环绕所述分配部分,其中所述桥接件将所述分配部分耦接到耦接部分。
2.如权利要求1所述的面板,其特征在于,进一步包括电极,所述电极设置在所述电极层内。
3.如权利要求1所述的面板,其特征在于,进一步包括接地电极,所述接地电极设置在所述加热器层内。
4.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述主体包括陶瓷材料。
5.如权利要求4所述的面板,其特征在于,所述陶瓷材料是氮化铝。
6.如权利要求1所述的面板,其特征在于,进一步包括粘结层,所述粘结层设置在所述加热器层与所述电极层之间。
7.如权利要求1所述的面板,其特征在于,所述桥接件是热扼流圈并且具有比所述耦接部分的厚度和所述分配部分的厚度要小的厚度。
8.一种用于处理基板的面板,包括:
主体,其中所述主体包括:
电极层;
加热器层;
接地层;和
粘结层,所述粘结层设置在所述电极层与所述加热器层之间和所述加热器层与所述接地层之间;
多个孔径,所述多个孔径被形成为穿过所述主体,所述多个孔径具有第一端和第二端,其中所述第一端位于所述主体的外表面处,并且每个孔径的所述第二端流体耦接到设置在所述电极层中的一个或多个喷嘴;和
热扼流圈。
9.如权利要求8所述的面板,其特征在于,进一步包括分配容积,所述分配容积设置在所述孔径与所述喷嘴之间。
10.如权利要求8所述的面板,其特征在于,所述热扼流圈包括一个或多个流体通道,所述一个或多个流体通道设置在所述主体内并在所述多个孔径的径向外侧。
11.如权利要求8所述的面板,其特征在于,所述电极层、所述加热器层和所述接地层中的每个由陶瓷材料形成。
12.如权利要求8所述的面板,其特征在于,加热器设置在所述加热器层中,并且其中所述热扼流圈限制从所述加热器到与设置在所述加热器的径向外侧的密封件接近的区域的热传递。
13.如权利要求8所述的面板,其特征在于,所述孔径的横截面积约为所述喷嘴的横截面积的两倍。
14.一种用于处理基板的气体分配装置,包括:
陶瓷主体,其中所述主体由第一层、第二层和第三层形成;
多个孔径,所述多个孔径被形成为穿过所述陶瓷主体;
加热器,所述加热器设置在所述第一层中;
电极,所述电极设置在所述第二层中;和
桥接部分,所述桥接部分从所述第三层垂直延伸,其中耦接部分设置在所述桥接部分的与所述第三层相对的一端处,其中所述桥接部分是热扼流圈,所述热扼流圈限制从所述加热器到所述耦接部分的热传递。
15.如权利要求14所述的气体分配装置,其特征在于,所述孔径被布置成蜂窝阵列,其中相邻孔径之间的中心到中心距离为约2mm至约6mm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





