[发明专利]制造用于射频滤波器的衬底的工艺

说明书

本发明涉及一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层组装在载体衬底上来制造用于射频滤波器的衬底，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：通过在压电层的待组装至载体衬底的表面上旋涂属于旋涂玻璃(SOG)族的氧化物来沉积电绝缘层，然后在组装之前进行退火以致密化所述电绝缘层。

技术领域

本发明涉及一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺。

背景技术

已知的做法是在衬底上制造射频(RF)器件(例如谐振器或滤波器)，所述衬底从其底部至其表面依次包括通常由半导体材料(例如硅)制成的载体衬底、电绝缘层和压电层。

通常使用的压电材料(例如铌酸锂或钽酸锂)具有相当高的热膨胀系数和各向异性，这使得很难将它们接合至诸如硅的载体衬底。在加工、封装或切割步骤中的热退火过程中的破裂或分离问题可能使这种经接合的衬底不合适。

另外，表面声波(SAW)滤波器通常包括厚的压电层(即，厚度通常为几十μm)和两个电极，所述两个电极以两个叉指式金属梳的形式沉积在所述压电层的表面上。施加至电极的电信号(通常为电压变化)被转换为在压电层的表面传播的弹性波。如果波的频率与滤波器的频带相对应，则会促进该弹性波的传播。当该波到达另一个电极时，会再次转换为电信号。

然而，存在波的寄生传播模式，所述波在压电层的厚度上延伸，并且易于在与下面载体衬底的界面处被反射。此现象称为“揺响(rattle)”。

为了避免这些寄生模式，已知的做法是使位于与电绝缘层的界面处的压电层的表面足够粗糙，以允许寄生波在所有方向上反射(散射效应)，并防止其传输至衬底中。

考虑到所涉及的波长，压电层表面的粗糙度非常高，约为几微米。

制造衬底需要将压电层的粗糙表面结合至载体衬底，所述压电层的粗糙表面可能覆盖有电绝缘层。

然而，尽管有这样的粗糙度，为了确保压电层与载体衬底之间的良好粘合，当前的工艺需要大量的连续步骤，这使该工艺冗长且昂贵。

发明内容

本发明旨在通过提供一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺来克服现有技术的这些限制。以该方式，可以解决当前遇到的问题。

本发明涉及一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层接合至载体衬底来制造用于射频滤波器的衬底，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：通过在压电层的待接合至载体衬底的表面上旋涂属于SOG(旋涂玻璃)族的氧化物来沉积电绝缘层，然后在接合之前进行退火以致密化所述电绝缘层。

在有利的实施方案中，压电层的厚度大于5μm，优选大于10μm。

在有利的实施方案中，压电层的待结合至载体衬底的表面具有适于反射射频波的粗糙表面。

在有利的实施方案中，压电层的粗糙表面的粗糙度大于1μm，优选大于3μm。

在有利的实施方案中，载体衬底由硅材料制成。

在有利的实施方案中，由硅材料制成的载体衬底包括朝向与压电层接合的界面的捕获层。

在有利的实施方案中，压电层(200、200')由铌酸锂或钽酸锂制成。

附图说明

通过阅读以下参照附图的详细描述，将更好地理解本发明的其他特征和优点，其中：

图1示出根据本发明一个实施方案的制造用于射频滤波器的衬底的工艺；

图2示出根据本发明一个实施方案的制造用于射频滤波器的衬底的工艺。

为了提高附图的可读性，不一定按比例显示各个层。

具体实施方式