[发明专利]制造用于射频滤波器的衬底的工艺在审

申请号：	201980023115.3	申请日：	2019-03-27
公开（公告）号：	CN111919282A	公开（公告）日：	2020-11-10
发明（设计）人：	D·贝拉什米;T·巴尔热	申请（专利权）人：	SOITEC公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L41/313;H03H1/00
代理公司：	北京戈程知识产权代理有限公司 11314	代理人：	程伟;王锦阳
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	制造用于射频滤波器衬底工艺
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【权利要求书】：

1.一种制造用于射频滤波器的衬底的工艺，其通过经由电绝缘层(300)将压电层(200、200')接合至载体衬底(100)来制造用于射频滤波器的衬底，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：通过在压电层(200、200')的待接合至载体衬底(100)的表面上旋涂属于SOG(旋涂玻璃)族的氧化物来沉积电绝缘层(300)，然后在接合之前进行退火以致密化所述电绝缘层。

2.根据前一权利要求所述的工艺，其中，所述压电层(200、200')的厚度大于5μm，优选大于10μm。

3.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，所述压电层(200、200')的待接合至载体衬底(100)的表面具有适于反射射频波的粗糙表面。

4.根据前一权利要求所述的工艺，其中，所述压电层(200、200')的粗糙表面的粗糙度大于1μm，优选大于3μm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，所述载体衬底(100)由硅材料制成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，由硅材料制成的载体衬底(100)包括朝向与压电层(200、200')接合的界面的捕获层(400)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，所述压电层(200、200')由铌酸锂或钽酸锂制成。

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