[发明专利]EFEM在审
申请号: | 201980019229.0 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN111868909A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 河合俊宏;小仓源五郎 | 申请(专利权)人: | 昕芙旎雅有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 龚伟;王玉瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | efem | ||
在本发明中,当惰性气体的供应流量改变时,循环路径中的压力波动被抑制。该EFEM设置有:供应阀,其能够改变供应到循环路径的惰性气体的供应流量;排出阀,其能够改变从所述循环路径排出的气体的排出流量;浓度检测部,其检测所述循环路径内的气氛的变化;压力检测部,其检测所述循环路径中的压力;以及控制部,其控制所述供应阀和所述排出阀。所述控制单元基于所述浓度检测部获得的检测结果,确定所述排出阀的开度为预定值。
技术领域
本发明涉及一种能够循环惰性气体的EFEM(Equipment Front End Module,设备前端模块)。
背景技术
专利文献1公开了一种EFEM,其被配置为在对半导体基板(晶圆)执行预定处理的处理设备和存储晶圆的晶圆盒(pod)之间递送晶圆。EFEM包括壳体,在该壳体中形成用于传送晶圆的递送区(传送室)。
常规地,传送室中的氧气、湿气等对在晶圆上制造的半导体电路的影响已经很小,但是近年来,随着半导体电路进一步小型化,这种影响已经变得明显。因此,专利文献1中描述的EFEM被配置为使得传送室的内部填充有作为惰性气体的氮气。具体地,EFEM包括:循环路径,其被配置为使氮气在壳体内循环并设置有传送室;流量控制器,其被配置用于调节从供应源供应到循环路径的氮气的供应流量;以及释放阀,其被配置成从循环路径排出气体。因此,通过在使氮气循环的同时根据需要调整氮气的供应流量和气体排出流量,能够将循环路径的内部保持在氮气气氛中同时抑制氮气供应流量的增加。
此外,EFEM包括:氧气浓度计,其被配置成测量循环路径中的氧气浓度;压力计,其被配置成测量循环路径中的压力;以及控制部。当循环路径中的氧气浓度超过预定值时,控制部控制流路控制器以增加氮气供应流量并降低所述循环路径中的氧气浓度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开第2017-5283号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在使氮气循环的一种类型的EFEM中,需要将循环路径内的压力保持为略高于外部压力(例如,在3~500Pa(G),优选地在5~100Pa(G)的压力下),以便在抑制氮气从循环路径向外部的泄漏的同时可靠地抑制环境空气从外部侵入循环路径。因此,当循环路径中的压力在预定范围之外时,控制部通过改变释放阀的开度来改变氮气排放流量,并且将压力调节到预定目标压力。因此,基于氧气浓度调节氮气供应流量,并且基于压力调节氮气排放流量,由此控制氧气浓度和压力。
在由于特定原因循环路径中的氧气浓度增加的情况下,为了抑制氧气对晶圆的影响,需要通过供应氮气来快速降低氧气浓度,因此氮气供应流量暂时增加。在专利文献1中描述的EFEM中,例如,当循环路径的容量大时,在改变氮气供应流量之后,直到通过压力计检测到循环路径中的压力变化为止可能需要时间。因此,存在排放流量变化的定时相对于供应流量变化的延迟(即,压力控制的定时被延迟)的风险,从而循环路径中的压力的波动增大。因此,可能会存在以下问题,循环路径中的压力变得过高于外部空间的压力,由此氮气容易从循环路径泄漏到外部空间,或者循环路径中的压力变得过低于外部空间的压力,由此环境空气容易从外部空间流入循环路径。
本发明旨在抑制当惰性气体的供应流量改变时循环路径中的压力波动。
解决课题的手段
根据本发明的第一方面的EFEM是一种形成有用于使惰性气体循环的循环路径的EFEM,该EFEM包括:供应阀,其被配置为能够改变供应到所述循环路径中的所述惰性气体的供应流量;排出阀,其被配置成能够改变从所述循环路径排出的气体的排出流量;浓度检测部,其被配置为检测所述循环路径内的气氛的变化;压力检测部,其被配置为检测所述循环路径中的压力;以及控制部,其被配置为控制所述供应阀和所述排出阀,其中,所述控制部被配置为基于所述浓度检测部的检测结果,将所述排出阀的开度确定为预定值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造