[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种对基片实施的等离子体处理方法，其特征在于：

所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模，在该掩模形成有具有长度方向的开口，

该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施，

所述等离子体处理方法包括：

对所述腔室内供给非活性气体的步骤；以及

使含硅材料沉积在所述基片上的步骤，该步骤选择性地实施两个处理中的一者以从所述非活性气体生成等离子体，所述两个处理是：将第一高频电功率从第一高频电源供给到所述等离子体处理装置的上部电极的处理；和将具有比所述第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极的处理，并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压，以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。

2.一种对基片实施的等离子体处理方法，其特征在于：

所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模，在该掩模形成有具有长度方向的开口，

该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施，

所述等离子体处理方法包括：

对所述腔室内供给非活性气体的步骤；以及

使含硅材料沉积在所述基片上的步骤，该步骤将具有比第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极，以从所述非活性气体生成等离子体，其中所述第一高频电功率由与所述等离子体处理装置的上部电极电连接的第一高频电源产生，并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压，以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。

3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述负极性的偏置电压是直流电压。

4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

构成所述上部电极的所述含硅材料由硅构成。

5.如权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述掩模是抗蚀剂掩模，

所述含硅膜是含有硅的防反射膜，

所述基片还具有在其上形成有所述防反射膜的有机膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

还包括在所述进行沉积的步骤之后，实施对所述掩模的基底膜的等离子体蚀刻的步骤。

7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

至少在从所述进行沉积的步骤的开始时刻起至所述实施等离子体蚀刻的步骤的结束时刻为止的期间，将所述基片连续地收纳在已减压的所述腔室的内部空间中。