[发明专利]Cu-Ni合金溅射靶

说明书

本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。

技术领域

本发明涉及一种当形成包含Ni且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成的Cu-Ni合金的薄膜时所使用的Cu-Ni合金溅射靶。

本申请主张基于2018年3月1日于日本申请的专利申请2018-036509号及2019年1月7日于日本申请的专利申请2019-000734号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

例如专利文献1所示，上述Cu-Ni合金在低反射、耐热性及电气特性方面优异，因此可以用作显示器等的布线膜。例如专利文献2-4中所记载，也可以用作铜布线的基底膜。

包含40～50质量％的Ni的铜镍合金的电阻温度系数小，因此例如如专利文献5所示，可以用作应变仪用薄膜电阻元件。

该铜镍合金的电动势大，因此例如专利文献6-8所示，可以用作薄膜热电偶及补偿导线。

即使在包含22质量％以下的Ni的铜镍合金中，也可以用作普通电阻元件或低温发热体等。

如上述由Cu-Ni合金组成的薄膜例如通过溅射方法形成。以往，例如专利文献9，10所示，溅射方法中所使用的Cu-Ni合金溅射靶通过熔铸法进行制造。

在专利文献11中提出有Cu-Ni合金的烧结体的制造方法。

专利文献1：日本特开2017-005233号公报

专利文献2：日本特开平05-251844号公报

专利文献3：日本特开平06-097616号公报

专利文献4：日本特开2010-199283号公报

专利文献5：日本特开平04-346275号公报

专利文献6：日本特开平04-290245号公报

专利文献7：日本特开昭62-144074号公报

专利文献8：日本特开平06-104494号公报

专利文献9：日本特开2016-029216号公报

专利文献10：日本特开2012-193444号公报

专利文献11：日本特开平05-051662号公报

在上述Cu―Ni合金膜中，当膜厚或组成产生偏差时，导致电阻等特性在膜内产生偏差。因此，要求形成膜厚或组成被均匀化的Cu―Ni合金膜。

在Cu―Ni合金溅射靶中，在晶粒粗大化的情况下，存在如下忧患，即，当进行溅射时溅射面上产生凹凸，从而无法形成膜厚或组成均匀的膜。并且，存在如下忧患，即，容易发生异常放电，从而无法稳定地实施溅射成膜。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，其目的在于提供一种能够稳定地形成晶粒的粗大化得到抑制且膜厚或组成被均匀化的Cu―Ni合金膜的Cu-Ni合金溅射靶。

为了解决上述课题，本发明的Cu-Ni合金溅射靶为包含Ni且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成的Cu-Ni合金溅射靶，所述Cu-Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。