[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

说明书

提供一种等离子体蚀刻方法，将具有消耗构件的处理容器内维持为固定的压力，利用等离子体来蚀刻被处理体，所述等离子体蚀刻方法包括以下工序：测定所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值；以及根据表示所述消耗构件的消耗程度与所述变动值之间的相关性的信息，基于测量出的所述变动值来估计所述消耗构件的消耗程度。

技术领域

本公开涉及一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。

背景技术

在等离子体蚀刻装置的处理室内，将边缘环配置于载置台上的晶圆的周边部，来使等离子体朝向晶圆W的表面收敛。在等离子体处理中，边缘环暴露在等离子体中，从而产生消耗。

其结果，在晶圆的边缘部处，鞘层产生高度差，离子的照射角度变斜，从而蚀刻形状产生倾斜(tilting)。另外，晶圆的边缘部的蚀刻速率发生变动，晶圆W的面内的蚀刻速率变得不均匀。因此，边缘环在产生了规定以上的消耗时要更换为作为新品的边缘环。此时产生的更换时间为使生产率下降的主要原因之一。

对此，例如在专利文献1中公开了一种通过从直流电源对边缘环施加直流电压来控制蚀刻速率的面内分布的技术。在专利文献2中公开了一种根据边缘环的温度的随时间的变动来测量边缘环的消耗程度的技术。在专利文献3中公开了一种测定边缘环的厚度并根据测定结果来控制边缘环的直流电压的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5281309号公报

专利文献2：日本专利第6027492号公报

专利文献2：日本特开2005-203489号公报

发明内容

发明要解决的问题

在一个方面中，提出提高等离子体蚀刻装置的生产率。

用于解决问题的方案

根据本公开的一个方式，提供一种等离子体蚀刻方法，在该等离子体蚀刻方法中，将具有消耗构件的处理容器内维持为固定的压力，利用等离子体来蚀刻被处理体，所述等离子体蚀刻方法包括以下工序：测量所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值；以及根据表示所述消耗构件的消耗程度与所述变动值之间的相关性的信息，基于测量出的所述变动值来估计所述消耗构件的消耗程度。

发明的效果

根据一个方面，能够提高等离子体蚀刻装置的生产率。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体蚀刻装置的一例的图。

图2是用于说明由于边缘环的消耗引起的蚀刻速率和倾斜的变动的图。

图3是表示一个实施方式所涉及的边缘环及周边构造的截面的一例的图。

图4是表示一个实施方式所涉及的直流电压控制处理的预处理的一例的流程图。

图5是表示一个实施方式所涉及的降温时间之差与边缘环的消耗量的相关表的一例的图。

图6是表示一个实施方式所涉及的降温时间之差与直流电压的适当值的相关表的一例的图。

图7是表示包括一个实施方式所涉及的直流电压控制处理的蚀刻处理的一例的流程图。

图8是用于说明通过一个实施方式所涉及的直流电压控制处理进行的直流电压的施加的图。