[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，将具有消耗构件的处理容器内维持为固定的压力，利用等离子体来蚀刻被处理体，所述等离子体蚀刻方法包括以下工序：

测量所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值；以及

根据表示所述消耗构件的消耗程度与所述变动值之间的相关性的信息，基于测量出的所述变动值来估计所述消耗构件的消耗程度。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，还包括以下工序：

基于估计出的所述消耗构件的消耗程度来控制对所述消耗构件施加的直流电压。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

基于估计出的所述消耗构件的消耗程度来控制所述消耗构件的驱动量。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

所述消耗构件为边缘环和上部电极中的至少任一方。

5.根据权利要求4所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

所述边缘环被分割为内周边缘环、中央边缘环以及外周边缘环，

调整所述内周边缘环、中央边缘环以及外周边缘环中的至少任一方的驱动量。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

一边向所述处理容器内供给固定流量的气体一边将所述处理容器内维持为固定的压力。

7.一种等离子体蚀刻装置，具有：

处理容器，其具有消耗构件；

气体供给部，其供给气体；

测量部，其测量所述消耗构件的温度；

加热部，其对所述消耗构件进行加热；以及

控制部，

其中，所述控制部一边向所述处理容器内供给气体一边将所述处理容器内维持为固定的压力，

所述控制部测量所述消耗构件的温度从第一温度达到比该第一温度低的第二温度为止的降温时间或降温速度的变动值，

所述控制部根据表示所述消耗构件的消耗程度与所述变动值之间的相关的信息，基于测量出的所述变动值来估计所述消耗构件的消耗程度。