[发明专利]用于氮化硅薄膜的处理方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包括：

将基板定位在基板支撑件上，所述基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中；

处理已经沉积在所述基板上的氮化硅层，包括：

使第一气体的一种或多种自由基物质流动，所述第一气体包括NH₃、N₂、H₂、He、Ar、或前述气体的组合；以及

将所述氮化硅层暴露于所述自由基物质。

2.如权利要求1所述的方法，其中，使所述第一气体的所述一种或多种自由基物质流动包括：

将所述第一气体流进所述处理腔室的所述处理容积；以及

通过使所述第一气体电容耦合能量，而形成所述第一气体的远程等离子体。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述氮化硅层沉积于所述基板上，包括：

使一种或多种硅前驱物流进所述处理腔室的所述处理容积；

将所述基板暴露于所述一种或多种硅前驱物；

使包括第二气体的自由基物质的一种或多种自由基共反应物流动；以及

将所述基板暴露于所述一种或多种自由基共反应物。

4.如权利要求3所述的方法，其中使所述第二气体的所述一种或多种自由基物质流动包括：

使所述第二气体流进所述处理腔室的所述处理容积；以及

通过使所述第二气体电容耦合能量，而形成所述第二气体的远程等离子体。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述一种或多种硅前驱物实质上不含碳。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述一种或多种硅前驱物包括硅氮烷化合物。

7.如权利要求3所述的方法，其中所述第二气体的所述一种或多种自由基物质从远程等离子体源流至所述处理腔室的所述处理容积，所述远程等离子体源与所述处理容积流体连通。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：在沉积所述氮化硅层之后以及在处理所沉积的氮化硅层之前，使用惰性净化气体净化所述处理容积，所述惰性净化气体流进所述处理容积中。

9.一种用于氮化硅层的基于自由基的处理的方法，包括：

将基板定位在基板支撑件上，所述基板支撑件被设置在处理腔室的处理容积中；以及

处理已经沉积在所述基板上的氮化硅层，包括：

使第一气体的一种或多种自由基物质流动，所述第一气体包括NH₃、N₂、H₂、He、Ar、或前述气体的组合；以及

将所沉积的氮化硅层暴露于所述自由基物质，其中所述氮化硅层是使用一方法沉积，所述方法包括：

使一种或多种硅前驱物流进所述处理腔室的所述处理容积；

将所述基板暴露于所述一种或多种硅前驱物；

使包括第二气体的自由基物质的一种或多种自由基共反应物流动；以及

将所述基板暴露于所述一种或多种自由基共反应物。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一气体的所述一种或多种自由基物质从远程等离子体源流至所述处理腔室的所说处理容积，所述远程等离子体源与所述处理容积流体连通。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述第二气体的所述一种或多种自由基物质从远程等离子体源流至所述处理腔室的所述处理容积，所述远程等离子体源与所述处理容积流体连通。

12.如权利要求9所述的方法，其中使所述第一气体的所述一种或多种自由基物质流动包括：

将所述第一气体流进所述处理腔室的所述处理容积；以及

通过使所述第一气体电容耦合能量，而形成所述第一气体的远程等离子体。