[发明专利]嵌入式透明电极基板及其制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式透明电极基板的制造方法，所述方法包括：

形成包含透明基材、设置在所述透明基材上的胶粘层和设置在所述胶粘层上的金属箔的结构体的步骤；

通过对所述金属箔进行图案化而形成金属箔图案的步骤；

在70℃至100℃的温度下对包含所述金属箔图案的结构体进行热处理的步骤；和

将所述胶粘层完全固化的步骤，

其中通过所述在70℃至100℃的温度下对所述结构体进行热处理的步骤而将所述金属箔图案嵌入所述胶粘层中，

在对所述结构体进行所述热处理之前，所述胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且

在对所述结构体进行所述热处理之后，所述胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz为0.1μm以下。

2.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中形成所述结构体的步骤包括：

在所述金属箔上形成所述胶粘层并且在所述胶粘层上形成所述透明基材的步骤；或

在所述透明基材上形成所述胶粘层并且在所述胶粘层上形成所述金属箔的步骤。

3.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中

所述胶粘层包含热固化性胶粘剂组合物或UV固化性胶粘剂组合物，并且

所述将所述胶粘层完全固化的步骤包括将所述胶粘层在120℃以上的温度下热固化或将所述胶粘层UV固化的步骤。

4.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述胶粘层包含硅烷改性的环氧树脂、双酚A型苯氧基树脂、引发剂和硅烷偶联剂。

5.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔的厚度为2μm至20μm。

6.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔包含铜箔或铝箔。

7.根据权利要求1所述的嵌入式透明电极基板的制造方法，其中所述金属箔图案的形成使用光刻工艺。

8.一种嵌入式透明电极基板，其包含：

透明基材；

设置在所述透明基材上的胶粘层；和

嵌入所述胶粘层中的金属箔图案，

其中

所述胶粘层的一个表面和所述金属箔图案的一个表面被设置在同一平面上，

所述金属箔图案的在所述透明基材的相反侧的表面的十点平均粗糙度Rz高于0.5μm，并且

所述嵌入式透明电极基板的没有设置金属箔图案的区域中的雾度为3％以下，

所述胶粘层的表面的十点平均粗糙度Rz为0.1μm以下。

9.根据权利要求8所述的嵌入式透明电极基板，其中被设置在同一平面上的所述胶粘层的一个表面与所述金属箔图案的一个表面之间的高差为0μm至20μm。

10.根据权利要求8所述的嵌入式透明电极基板，其中所述胶粘层的折射率为1.45至1.55。