[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201980004824.7 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN111164875B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 陈塽清;山本纱矢香 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H01L25/07;H01L25/18;H10B80/00;H02M7/483
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张欣;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

半导体芯片;

第1电流输入输出部,其与所述半导体芯片电连接;

第2电流输入输出部,其与所述半导体芯片电连接;

3个以上的导通部,其在所述第1电流输入输出部与所述第2电流输入输出部之间设置有所述半导体芯片;以及

电流路径部,其具有与所述3个以上的导通部分别导通的电流路径,

所述电流路径部包含多个狭缝。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述导通部为所述半导体芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备设置有所述半导体芯片的绝缘基板,

所述电流路径部为设置于所述绝缘基板上的导电性图案。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备与所述半导体芯片电连接的引线框,

所述电流路径部为所述引线框。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备设置有所述半导体芯片的绝缘基板,

所述导通部为所述绝缘基板。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体装置还具备用于将所述半导体芯片与外部端子电连接的端子排,

所述电流路径部为端子排。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电流输入输出部为电流输入部,

所述第2电流输入输出部为电流输出部,

所述3个以上的导通部具有依次配置的第1导通部、第2导通部和第3导通部,

所述多个狭缝具有第1狭缝和第2狭缝,

所述第1狭缝的端部设置于所述电流输出部与所述第1导通部之间,

所述第2狭缝的端部设置于所述第1导通部与所述第2导通部之间。

8.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述3个以上的导通部具有依次配置的第1导通部、第2导通部和第3导通部,

所述多个狭缝具有第1狭缝和第2狭缝,

所述第1狭缝的端部设置于所述第1导通部与所述第2导通部之间,

所述第2狭缝的端部设置于所述第2导通部与所述第3导通部之间。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述多个狭缝包含L型的狭缝和F型的狭缝。

10.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述多个狭缝包含L型的狭缝和I型的狭缝。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电流输入输出部为电流输入部,

所述第2电流输入输出部为电流输出部,

所述多个狭缝设置于比所述导通部靠近所述电流输入部侧的位置。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第1电流输入输出部为电流输入部,

所述第2电流输入输出部为电流输出部,

所述多个狭缝设置于比所述导通部靠近所述电流输出部侧的位置。

13.根据权利要求1~12中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述多个狭缝由图案形成。

14.根据权利要求1~13中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在所述多个狭缝具备绝缘性的振动吸收部件。

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