[发明专利]三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

在所述衬底之上交替堆叠的字线层和绝缘层的堆叠层；以及

第一阵列区和第二阵列区，所述第一阵列区和所述第二阵列区位于所述堆叠层的相反侧处，其中，

第一阶梯形成于所述衬底之上的所述堆叠层的连接区中，所述连接区布置在所述第一阵列区与所述第二阵列区之间，

第二阶梯形成于所述衬底之上的所述堆叠层的所述连接区中，

所述堆叠层中的所述连接区包括处于所述第一阶梯与所述第二阶梯之间的隔离区，所述隔离区包括非连续布置的狭缝结构，

所述第一阶梯与所述第二阶梯位于所述包括非连续布置的狭缝结构的隔离区的两侧，并且

所述第一阶梯中的每个梯级具有与所述第二阶梯中的梯级的高度相比要小的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一阶梯具有第一组梯级和第二组梯级，所述第一组梯级具有第一下台阶方向，并且所述第二组梯级具有第二下台阶方向，所述第一下台阶方向与所述第二下台阶方向相反，以及

所述第一组梯级和所述第二组梯级在第一共享梯级处会合。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一组梯级和所述第二组梯级进一步具有第三下台阶方向。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第二阶梯具有第三组梯级和第四组梯级，所述第三组梯级具有所述第一下台阶方向，并且所述第四组梯级具有所述第二下台阶方向，以及

所述第三组梯级和所述第四组梯级在第二共享梯级处会合。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第三组梯级和所述第四组梯级进一步具有与所述第三下台阶方向相反的第四下台阶方向。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离区进一步包括位于所述隔离区的相反末端处的第一部分和第二部分、以及位于所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分，其中：

所述第一阶梯位于所述第一部分与所述第二部分之间并且沿着所述第三部分延伸；

所述第二阶梯位于所述第一部分与所述第二部分之间并且沿着所述第三部分延伸；以及

所述第一阶梯和所述第二阶梯通过所述第三部分相互隔开。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述隔离区的所述第一部分和所述第二部分具有相同的宽度，以及所述第三部分具有小于所述第一部分和所述第二部分的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阶梯中的最上梯级与所述隔离区具有相同高度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

形成于所述第一阶梯上并且连接至所述第一阶梯中的字线层的第一接触结构；以及

形成于所述第二阶梯上并且连接至所述第二阶梯中的字线层的第二接触结构。

10.一种用于制作半导体器件的方法，包括：

形成由交替设置在所述半导体器件的衬底之上的牺牲字线层和绝缘层构成的初始堆叠层；

在所述初始堆叠层的连接区的第一阶梯区中形成第一阶梯；以及

在所述初始堆叠层的所述连接区的第二阶梯区中形成第二阶梯；其中，

所述初始堆叠层的所述连接区包括处于所述第一阶梯与所述第二阶梯之间的隔离区，所述隔离区包括非连续布置的狭缝结构，所述第一阶梯与所述第二阶梯位于所述包括非连续布置的狭缝结构的隔离区的两侧，所述第一阶梯中的每个梯级具有与所述第二阶梯中的梯级的高度相比要小的高度，以及

所述连接区位于处在所述初始堆叠层的相反侧处的阵列区之间。