[发明专利]具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法

说明书

一种三维(3D)存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。所述存储器堆叠层包括交织的导体层和绝缘层。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的沟道结构。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。所述源极结构包括由支撑结构分隔的第一和第二源极触点。所述源极结构还包括粘合层。所述粘合层的至少一部分在第一和第二源极触点之间并将第一和第二源极触点导电连接。

背景技术

本公开的实施例涉及具有减小的电阻的源极结构的三维(3D)存储器件以及用于形成该3D存储器件的方法。

通过改善工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。

3D存储器架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储器架构包括存储器阵列和用于控制发往和发自存储器阵列的信号的外围器件。

发明内容

提供了3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法的实施例。

在一个示例中，3D存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层。3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构。3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。源极结构包括由支撑结构分隔的第一和第二源极触点。源极结构还包括粘合层。粘合层的至少一部分在第一和第二源极触点之间并将第一和第二源极触点导电连接。

在另一个示例中，3D存储器件包括衬底之上的存储器堆叠层。存储器堆叠层包括交织的多个导体层和多个绝缘层。3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的多个沟道结构。3D存储器件还包括在存储器堆叠层中沿横向方向平行延伸的多个源极结构。多个源极结构均包括沿横向方向布置的多个源极触点。多个源极结构中的每个还包括沿横向方向布置的多个支撑结构。多个支撑结构中的每个分隔两个相邻的源极触点。多个源极结构中的每个还包括将由支撑结构中的至少一个分隔的多个源极触点中的至少两个源极触点导电连接的粘合层。

在另一示例中，用于形成3D存储器件的方法包括在堆叠结构中形成切割结构。堆叠结构包括交织的多个初始牺牲层和多个初始绝缘层。该方法还包括去除堆叠结构的与切割结构相邻的部分以形成缝隙结构和初始支撑结构。初始支撑结构将缝隙结构分成多个缝隙开口。该方法还包括通过多个缝隙开口在初始支撑结构中形成多个导体部分。该方法还包括在多个缝隙开口的每个中形成源极触点。该方法还包括去除初始支撑结构的部分以形成支撑结构。支撑结构包括延伸穿过支撑结构的粘合部分。此外，该方法包括在多个缝隙开口中的每个中的源极触点之上形成粘合层。至少两个粘合层导电连接到延伸穿过支撑结构的粘合部分。

附图说明

被并入本文并形成说明书的部分的附图例示了本公开的实施例并与说明书一起进一步用以解释本公开的原理，并使相关领域的技术人员能够做出和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些实施例的具有由粘合层连接的源极触点的示例性3D存储器件的平面图。

图2A示出了根据本公开的一些实施例的图1中所示的3D存储器件的沿C-D的方向的截面图。

图2B示出了根据本公开的一些实施例的图1中所示的3D存储器件的沿A-B的方向的截面图。

图3A示出了根据本公开的一些实施例的在用于形成3D存储器件的制造过程中的用于形成各种结构的示例性图案集的平面图。

图3B示出了根据本公开的一些实施例的图3A中所示的图案集的一部分的放大视图。

图4A和图4B示出了根据本公开的一些实施例的用于形成具有由粘合层连接的源极触点的3D存储器件的示例性制造过程的流程图。

图5-图20示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程的各阶段的示例性3D存储器件的截面图。