[发明专利]竖直存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向，在所述衬底上方的阵列区中交替地堆叠的栅极层和绝缘层；

在所述阵列区中形成的沟道结构的阵列；

在所述衬底上方的连接区中的以阶梯形式堆叠的所述栅极层和所述绝缘层，其中，所述连接区中的划分的数量大于所述阵列区中指状存储区的数量，并且其中，阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度；以及

形成于具有所述不均匀的阶梯深度的所述阶梯台阶上的、通往所述栅极层的触点结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括具有第一深度的第一阶梯台阶，所述第一深度是第二阶梯台阶的第二深度的一半。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通往一组连续栅极层的所述触点结构是分别在具有不均匀的阶梯深度的所述阶梯台阶上形成的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括平行于缝隙结构的竖立面，所述缝隙结构将所述沟道结构的阵列分成指状部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括设置在相邻缝隙结构之间的至少一个竖立面。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括：与所述缝隙结构对准的第一竖立面、以及所述阶梯台阶的设置在相邻缝隙结构之间的至少第二竖立面。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述阵列区中的第一缝隙结构具有与所述连接区中的第二缝隙结构相同的间距。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一缝隙结构将所述阵列区中的所述沟道结构分成三个指状部分，并且所述阶梯台阶被配置为具有第一深度和第二深度，所述第一深度等于所述间距，所述第二深度是所述间距的一半。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括具有所述第一深度的两个台阶，以及包括具有所述第二深度的两个台阶。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述阶梯台阶包括具有所述第一深度的一个台阶，以及包括具有所述第二深度的四个台阶。

11.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

沿垂直于所述半导体器件的衬底的方向，在所述衬底上方的阵列区和连接区中交替地堆叠牺牲栅极层和绝缘层；

将所述连接区中的所述牺牲栅极层和所述绝缘层形成为其中阶梯台阶具有不均匀的阶梯深度的阶梯形式，其中，所述连接区中的划分的数量大于所述阵列区中指状存储区的数量；

在所述阵列区中形成沟道结构；

利用栅极层替换所述牺牲栅极层；以及

在所述阶梯台阶上形成触点结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述连接区中的所述牺牲栅极层和所述绝缘层形成为其中所述阶梯台阶具有所述不均匀的阶梯深度的所述阶梯形式还包括：

形成包括具有第一深度的第一阶梯台阶的阶梯台阶，所述第一深度是第二阶梯台阶的第二深度的一半。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述阶梯台阶上形成所述触点结构还包括：

分别在具有不均匀的阶梯深度的所述阶梯台阶上形成所述触点结构，所述触点结构连接到所述栅极层中的一组连续栅极层。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括：

形成将所述阵列区分成指状部分的缝隙结构，所述阶梯台阶的竖立面平行于所述缝隙结构。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述阶梯台阶包括设置在两个相邻缝隙结构之间的至少一个竖立面。