[实用新型]硅片自动蚀刻生产线有效
| 申请号: | 201922466513.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN210925966U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 罗荣;周年春 | 申请(专利权)人: | 东莞市瑞辰自动化科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 苏州和氏璧知识产权代理事务所(普通合伙) 32390 | 代理人: | 许庆 |
| 地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 自动 蚀刻 生产线 | ||
1.硅片自动蚀刻生产线,包括自动蚀刻生产线主体(1),其特征在于:所述自动蚀刻生产线主体(1)的下端设置有固定底座(19),所述固定底座(19)的上端设置有输送线(18),所述输送线(18)的上端设置有一号升降台(8),所述一号升降台(8)的上端外表面设置有一号真空吸盘(6),所述一号真空吸盘(6)的上端外表面设置有硅片(5),所述一号真空吸盘(6)的外侧设置有一号工装盘(7),所述一号工装盘(7)的上端外表面设置有九宫格工装(9),所述九宫格工装(9)的上端外表面设置有点胶阀(3),所述九宫格工装(9)的内表面设置有点胶针头(4),所述点胶阀(3)的上端设置有供胶系统(2),所述点胶阀(3)的一侧设置有气缸(10),所述气缸(10)的上端设置有二号工装盘(11),所述二号工装盘(11)的下端外表面设置有升降平台(12),所述升降平台(12)的下端设置有二号真空吸盘(13),所述二号工装盘(11)的上端设置有升降喷淋系统(14),所述升降喷淋系统(14)的一侧设置有纯净离子水供应系统(15),所述升降平台(12)的一侧设置有二号升降台(17),所述二号升降台(17)的上端设置有高压风机(16)。
2.根据权利要求1所述的硅片自动蚀刻生产线,其特征在于:所述供胶系统(2)的材质为304或316不锈钢桶,所述供胶系统(2)的桶壁厚度为3-8mm,所述供胶系统(2)的桶盖厚度为13-20mm,所述供胶系统(2)的调压表为10bar,所述供胶系统(2)的最大流体压力为7bar,所述供胶系统(2)的出胶方式为上部或下部出胶。
3.根据权利要求1所述的硅片自动蚀刻生产线,其特征在于:所述升降平台(12)的驱动设置为伺服电机系统,所述升降平台(12)的机械设置为标准铝材件、304不锈钢与国标碳钢方通管。
4.根据权利要求1所述的硅片自动蚀刻生产线,其特征在于:所述升降平台(12)的传动设置为行星减速机,所述升降平台(12)的主要结构为滚珠丝杆。
5.根据权利要求1所述的硅片自动蚀刻生产线,其特征在于:所述自动蚀刻生产线主体(1)的供电单相为220V,且外壳接地保护,所述自动蚀刻生产线主体(1)的电源总挚设置有漏电保护功能。
6.根据权利要求1所述的硅片自动蚀刻生产线,其特征在于:所述自动蚀刻生产线主体(1)的长度设置为2500mm,所述自动蚀刻生产线主体(1)的宽度设置为722mm,所述自动蚀刻生产线主体(1)的高度设置为1470mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





