[实用新型]一种氮化钽薄膜电阻器制造设备

权利要求书

1.一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，包括真空室（1）、旋转装置（2）、抽气泵组（3）、供气装置（4）、磁控装置（5）、热阻蒸发装置（6）、AR离子清洗装置（7）和电子束蒸发装置（8）；

所述抽气泵组（3）和所述供气装置（4）均穿过所述真空室（1），并与其内部连通，分别用于抽出所述真空室（1）内的空气和充入稀有气体；

所述磁控装置（5）、所述热阻蒸发装置（6）、所述AR离子清洗装置（7）和所述电子束蒸发装置（8）均固定连接于所述真空室（1）内部。

2.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述旋转装置（2）固定连接于所述真空室（1）内部顶端，并且所述旋转装置（2）能够在所述真空室（1）内部自转；所述旋转装置（2）上均匀分布有若干个伞架（21），衬底基板（9）固定放置于所述伞架（21）表面，所述伞架（21）和所述衬底基板（9）均跟随所述旋转装置（2）旋转。

3.如权利要求2所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述磁控装置（5）上放置有射频溅射靶材，对所述衬底基板（9）进行镀膜；所述磁控装置（5）上设置有调节机构（51），用于调节所述磁控装置（5）的高度和角度。

4.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述热阻蒸发装置（6）由若干个阻舟（61）组成，每个阻舟（61）中均放置有贵金属金，通过热阻蒸发所述阻舟（61）中的贵金属金对所述氮化钽薄膜电阻器进行贵金属镀膜。

5.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述电子束蒸发装置（8）由若干个钳锅（81）组成，每个钳锅（81）中均放置有贵金属铂，通过电子束蒸发所述钳锅（81）中的贵金属对所述氮化钽薄膜电阻器进行贵金属镀膜。

6.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述供气装置（4）中设置有导流机构（41），所述导流机构（41）包括分流板（411）、混流板（412）和隔板（413）；所述混流板（412）位于两块分流板（411）之间，所述混流板（412）和所述分流板（411）之间均放置有所述隔板（413）。

7.如权利要求6所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述分流板（411）和所述隔板（413）上均开有通槽，用于将气体导入所述混流板（412）；所述分流板（411）上还开有若干条锯齿导流槽；所述混流板（412）上开有若干条锯齿混流槽。

8.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述真空室（1）侧壁安装有若干个真空计（10）和热电偶温度计（11），分别用于检测所述真空室（1）内部的真空度和温度。

9.如权利要求1所述的一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，其特征在于，所述抽气泵组（3）由若干个抽气泵串联而成，所述抽气泵组（3）与所述真空室（1）连接的气管上安装有气体阀门。