[实用新型]麦克风封装结构以及电子设备

说明书

本实用新型实施例公开了一种麦克风封装结构以及电子设备。该封装结构包括：壳体，在所述壳体的内部形成腔体，所述壳体的至少局部包括沿厚度方向设置的第一层和第二层，在所述第一层和所述第二层之间形成容纳腔；MEMS声学芯片，所述MEMS声学芯片被设置在所述腔体内；和ASIC芯片，所述ASIC芯片被设置在所述容纳腔内，所述ASIC芯片与所述MEMS芯片连接。ASIC芯片不占用腔体的空间，这使得腔体对于拾音效果的调节作用更加显著，麦克风封装结构的声电转换效果更好。

技术领域

本实用新型涉及声电转换技术领域，更具体地，涉及一种麦克风封装结构以及电子设备。

背景技术

麦克风封装结构通常包括壳体、MEMS声学芯片和ASIC芯片。ASIC芯片为专用集成电路芯片。ASIC芯片通常用于MEMS声学芯片的电信号的放大，并且ASIC芯片能够向MEMS芯片提供偏置电压，以使其工作。

MEMS声学芯片和ASIC芯片通常设置在由壳体围成的腔体内。在壳体上设置有拾音孔。MEMS声学芯片的振膜与拾音孔相对。麦克风封装结构的腔体起到调节拾音效果的作用。腔体的容积越大，则拾音效果越好；腔体的容积越小，则拾音效果越差。ASIC芯片设置在腔体内，会使得腔体的容积减小。

因此，需要提供一种新的技术方案，以解决上述至少一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种麦克风封装结构的新技术方案。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种麦克风封装结构。该封装结构包括：壳体，在所述壳体的内部形成腔体，所述壳体的至少局部包括沿厚度方向设置的第一层和第二层，在所述第一层和所述第二层之间形成容纳腔；MEMS声学芯片，所述MEMS声学芯片被设置在所述腔体内；和ASIC芯片，所述ASIC芯片被设置在所述容纳腔内，所述ASIC芯片与所述MEMS芯片连接。

可选地，还包括屏蔽层，所述屏蔽层被设置在所述壳体上，所述屏蔽层被配置为用于对所述ASIC芯片形成屏蔽。

可选地，所述屏蔽层被设置在所述第一层的表面或者内部；和/或所述屏蔽层被设置在所述第二层的表面或者内部。

可选地，所述第一层靠近所述腔体，在所述第一层内设置有金属化通孔，所述MEMS声学芯片通过所述金属化通孔与所述ASIC芯片连接。

可选地，所述MEMS声学芯片通过第一金线与所述金属化通孔连接；或者所述MEMS声学芯片倒装在所述壳体内，并过所述壳体的导体层与所述金属化通孔连接。

可选地，所述ASIC芯片通过第二金线或者焊盘与所述金属化通孔连接。

可选地，所述ASIC芯片通过粘结剂被固定在所述容纳腔内。

可选地，所述壳体包括基板组件和罩体，所述罩体和所述基板组件围成所述腔体，所述基板组件包括第一基板和第二基板，所述第一层包括所述第一基板，所述第一基板与所述罩体连接，所述第二层包括所述第二基板。

可选地，在组装时，首先，所述ASIC芯片通过第一粘结剂被固定在所述第一基板上，并与所述MEMS声学芯片形成连接；

然后，将第二粘结剂设置在所述第二基板上；

最后，将所述第二基板贴合在所述第一基板上，并且所述第二粘结剂与所述ASIC芯片形成连接。

可选地，所述第一基板和所述第二基板中的至少一个为PCB，所述PCB的导体层的至少局部与所述ASIC芯片相对。

可选地，所述第一层和所述第二层通过粘结、卡接或者焊接的方式连接在一起。

可选地，还包括滤波器，所述滤波器被设置在所述腔体内，或者被埋入所述壳体的壁部，所述滤波器与所述ASIC芯片连接。