[实用新型]一种推挽式低频地感线驱动装置

说明书

本实用新型公开了一种推挽式低频地感线驱动装置,包括设于地感线圈两端的第一MOSFET管H桥驱动电路和第二MOSFET管H桥驱动电路；所述第一MOSFET管H桥驱动电路和第二MOSFET管H桥驱动电路分别连接第一MOSFET预驱电路和第二MOSFET预驱电路；所述第一MOSFET预驱电路和第二MOSFET预驱电路连接MCU；包括设于地感线圈两端并与MCU连接的地感线圈断路检测电路。本实用新型具有能以更大功率更稳定的驱动地感线圈，能检测地感线圈通断的优点。

技术领域

本实用新型涉及一种地感线驱动装置，特别是一种推挽式低频地感线驱动装置。

背景技术

目前常用的125K硬件电路实际上就是两个电平转换芯片(MC33151)、两个功率MOS管芯片(IR7389)和一个由LC组成的谐振频率的天线。其电路原理就是由P沟道+N沟道MOS管组成的H桥互补型推挽功率放大电路，这种电路经常用于进行125K信号天线的驱动。但是目前所用的125K硬件电路的功率较小，特别是在在驱动地感线时，125K硬件电路的功率不足以完全有效的驱动地感线，无法被有效驱动的地感线工作不稳定，使得电子标签传感器的感应距离不足，从而使地感线圈在实际应用过程中经常出现功能不良的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种推挽式低频地感线驱动装置。本实用新型具有能以更大功率更稳定的驱动地感线圈，能检测地感线圈通断的优点。

本实用新型的技术方案：一种推挽式低频地感线驱动装置，包括设于地感线圈两端的第一MOSFET管H桥驱动电路和第二MOSFET管H桥驱动电路；所述第一MOSFET管H桥驱动电路和第二MOSFET管H桥驱动电路分别连接第一MOSFET预驱电路和第二MOSFET预驱电路；所述第一MOSFET预驱电路和第二MOSFET预驱电路连接MCU；包括设于地感线圈两端并与MCU连接的地感线圈断路检测电路。

前述的一种推挽式低频地感线驱动装置中，所述MCU的型号为STM32L431RBT6。

前述的一种推挽式低频地感线驱动装置中，所述第一MOSFET预驱电路与第二MOSFET预驱电路结构相同；所述第一MOSFET预驱电路和第二MOSFET预驱电路均包括预驱芯片；所述预驱芯片为IR2101芯片；所述预驱芯片的HIN端与LIN端分别连接MCU的输出端；所述第一MOSFET预驱电路的预驱芯片的HO端与LI端连接第一MOSFET管H桥驱动电路的输入端；所述第二MOSFET预驱电路的预驱芯片的HO端与LI端连接第二MOSFET管H桥驱动电路的输入端。

前述的一种推挽式低频地感线驱动装置中，所述第一MOSFET管H桥驱动电路和第二MOSFET管H桥驱动电路的结构相同；所述第一MOSFET管H桥驱动电路包括驱动电源和接地极；所述驱动电源与接地极之间依次串联第一MOSFET管和第二MOSFET管；所述第一MOSFET管与第二MOSFET管之间设有连接地感线圈的第一接入端；所述第一MOSFET管和第二MOSFET管分别通过第十电阻和第十三电阻与第一MOSFET预驱电路的预驱芯片相连。

前述的一种推挽式低频地感线驱动装置中，所述第二MOSFET管H桥驱动电路包括第三MOSFET管、第四MOSFET管、第十六电阻与第二十电阻；所述第三MOSFET管与第四MOSFET管之间设有连接地感线圈的第二接入端；所述第三MOSFET管和第四MOSFET管分别通过第十六电阻和第二十电阻与第二MOSFET预驱电路的预驱芯片相连。

前述的一种推挽式低频地感线驱动装置中，所述地感线圈断路检测电路包括第二十七电阻、第二十八电阻、第二十九电阻、第五十四电容；所述地感线圈断路检测电路一端连接于地感线圈上，另一端接地；所述地感线圈断路检测电路两端之间依次串联第二十七电阻和第二十九电阻；所述第二十七电阻与第二十九电阻之间设有第三连接端，所述第三连接端依次串联第二十八电阻和第五十四电容；所述第二十八电阻和第五十四电容之间设有第四输出端；所述第四输出端与MCU相连。