[实用新型]一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关

权利要求书

1.一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第四NMOS晶体管（M1、M2、M3、M4），第一～第四片上电阻器（R1、R2、R3、R4），第一～第三片上电感器（L1、L2、L3），射频信号接收端口（RX），射频信号发射端口（TX），天线端口（ANT），第一、第二控制端口，以及接地端口（GND）；

所述的第一NMOS晶体管（M1）与第一片上电阻器（R1），第一、第二片上电感器（L1、L2），第一控制端口，以及射频信号发射端口（TX）一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口（TX）与第一NMOS晶体管（M1）的源极相连，第一片上电感器（L1）的两端并联跨接在第一NMOS晶体管（M1）的源极和漏极上，第一NMOS晶体管（M1）的栅极连接到第一片上电阻器（R1）的一端，第一片上电阻器（R1）的另一端连接到第一控制端口上，第一NMOS晶体管（M1）的漏极与第二片上电感器（L2）的一端相连，第二片上电感器（L2）的另一端连接到天线端口（ANT）上；

所述的第二～第四NMOS晶体管（M2、M3、M4）与第二～第四片上电阻器（R2、R3、R4），第三片上电感器（L3），第一、第二控制端口，射频信号接收端口（RX），以及接地端口（GND）一起组成RX支路；其中，第二NMOS晶体管（M2）的漏极连接到天线端口（ANT）上，第二NMOS晶体管（M2）的栅极与第二片上电阻器（R2）的一端相连，第二片上电阻器（R2）的另一端连接到第二控制端口上，第二NMOS晶体管（M2）的源极与第三NMOS晶体管（M3）的漏极相连，第三NMOS晶体管（M3）的栅极与第三片上电阻器（R3）的一端相连，第三片上电阻器（R3）的另一端连接到第二控制端口上，第三NMOS晶体管（M3）的源极连接到射频信号接收端口（RX），第四NMOS晶体管（M4）的漏极也连接到射频信号接收端口（RX），第四NMOS晶体管（M4）的源极连接到接地端口（GND），第四NMOS晶体管（M4）的栅极与第四片上电阻器（R4）的一端相连，第四片上电阻器（R4）的另一端连接到第一控制端口，第三片上电感器（L3）连接在射频信号接收端口（RX）与接地端口（GND）之间；

所述第一控制端口和第二控制端口分别为一正一负。