[实用新型]一种低动态失配的高速预放大锁存比较器

权利要求书

1.一种低动态失配的高速预放大锁存比较器，其特征在于，包括：

前置预放大器，用于对输入的差分信号进行放大；

锁存器，与所述前置预放大器的输出相连，用于对放大的差分信号进行比较；

所述前置预放大器包括差分输入对和有源负载，所述有源负载采用包括负载管对、负载电容对和负载电阻对的有源电感负载，用于补偿高频输入信号的增益和相位；

所述锁存器包括经由耦合电容进行交叉耦合的第一放大单元和第二放大单元；所述第一放大单元和所述第二放大单元之间连接有复位管。

2.根据权利要求1所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述差分输入对包括第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)，所述第一NMOS管(MN1)和所述第二NMOS管(MN2)的栅极分别接收差分输入信号，源极接偏置电流。

3.根据权利要求2所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述前置预放大器还包括偏置电流源，包括第三NMOS管(MN3)，其栅极接偏置电压，源极接地，漏极接所述第一NMOS管(MN1)和所述第二NMOS管(MN2)的源极，用于为所述差分输入对提供偏置电流。

4.根据权利要求2所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述负载管对包括第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，其源极共同连接至电源(VDD)，漏极分别连接至所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极；

所述负载电容对包括第一负载电容(C1)和第二负载电容(C2)；所述第一负载电容(C1)两极板分别连接第一PMOS管的栅极和源极，所述第二负载电容(C2)两极板分别第二PMOS管的栅极和源极；

所述负载电阻对包括第一负载电阻(R1)和第二负载电阻(R2)；所述第一负载电阻(R1)两端分别接所述第一PMOS管的栅极和漏极，所述第二负载电阻(R2)两端分别接所述第二PMOS管的栅极和漏极。

5.根据权利要求1所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述锁存器还包括第一输入电路和第二输入电路，分别包括第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)，二者源极分别连接所述前置预放大器的差分输出信号，栅极均接入时钟信号，二者的漏极输出分别作为所述第一放大单元和所述第二放大单元的输入。

6.根据权利要求5所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述耦合电容包括第一耦合电容(C3)和第二耦合电容(C4)；

所述第一放大单元包括第三PMOS管(MP3)和第六NMOS管(MN6)，所述第二放大单元包括第四PMOS管(MP4)和第七NMOS管(MN7)；

所述第三PMOS管(MP3)与所述第六NMOS管(MN6)的栅极之间耦合有第一耦合电容(C3)，所述第六NMOS管(MN6)的栅极连接至所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的漏极；

所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的栅极之间耦合有第二耦合电容(C4)，所述第七NMOS管(MN7)的栅极连接至所述第三PMOS管(MP3)和所述第六NMOS管(MN6)的漏极；

所述第三PMOS管(MP3)和所述第四PMOS管(MP4)的源极接电源(VDD)，所述第六NMOS管(MN6)和所述第七NMOS管(MN7)的源极接地。

7.根据权利要求6所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述第四NMOS管(MN4)的漏极接所述第三PMOS管(MP3)的栅极，所述第五NMOS管(MN5)的漏极接所述第四PMOS管(MP4)的栅极。

8.根据权利要求6所述的高速预放大锁存比较器，其特征在于，所述复位管采用第八NMOS管(MN8)，其源极接所述第三PMOS管(MP3)和所述第六NMOS管(MN6)的漏极，漏极接所述第四PMOS管(MP4)和所述第七NMOS管(MN7)的漏极，栅极接时钟信号。