[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201921985930.1 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN211150583U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王晟 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底(10)，所述衬底(10)表面设置有缓冲层(20)；
无掺杂氮化镓层(30)，设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；
所述无掺杂氮化镓层(30)包括多个子氮化镓层(310)，所述多个子氮化镓层(310)依次设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面；
每个所述子氮化镓层(310)包括第一无掺杂氮化镓子层(311)与第二无掺杂氮化镓子层(312)，所述第一无掺杂氮化镓子层(311)设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述第一无掺杂氮化镓子层(311)远离所述缓冲层(20)的表面；
所述第一无掺杂氮化镓子层(311)包括多个三维岛状结构(3111)，所述多个三维岛状结构(3111)依次排列设置于所述缓冲层(20)远离所述衬底(10)的表面，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)设置于所述多个三维岛状结构(3111)远离所述缓冲层(20)的表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二无掺杂氮化镓子层(312)为二维层状结构，设置于所述多个三维岛状结构(3111)远离所述缓冲层(20)的表面。
3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：
氮化硅层(313)，设置于所述第二无掺杂氮化镓子层(312)远离所述第一无掺杂氮化镓子层(311)的表面。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：
第三无掺杂氮化镓子层(314)，设置于所述氮化硅层(313)远离所述第二无掺杂氮化镓子层(312)的表面。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，每个所述子氮化镓层(310)还包括：
热处理层(315)，设置于所述第三无掺杂氮化镓子层(314)远离所述氮化硅层(313)的表面。
6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述多个子氮化镓层(310)中相邻两个所述子氮化镓层(310)的所述第一无掺杂氮化镓子层(311)设置于所述热处理层(315)远离所述第三无掺杂氮化镓子层(314)的表面。
7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述无掺杂氮化镓层(30)包括5个～50个所述子氮化镓层(310)。
8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：
N型半导体层(40)，设置于所述无掺杂氮化镓层(30)远离所述缓冲层(20)的表面。
9.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：
多量子阱层(50)，设置于所述N型半导体层(40)远离所述无掺杂氮化镓层(30)的表面。
10.如权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：
P型半导体层(60)，设置于所述多量子阱层(50)远离所述N型半导体层(40)的表面。
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