[实用新型]一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置有效
| 申请号： | 201921960331.4 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN210467771U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王祥;廉天浩;石剑波;孔笑天 | 申请（专利权）人： | 马鞍山太时芯光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L33/30 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 韩立峰 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 衬底 led 芯片 全切后 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于：包括镜检装置本体，镜检装置本体由带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)组成，带膜伸张环(6)和带膜铁环(5)上均设置有蓝膜(3)，蓝膜(3)的一侧表面有粘性，带膜伸张环(6)的蓝膜(3)的粘性一面与带膜铁环(5)的蓝膜(3)的粘性一面贴合连接，芯片本体(4)的背面朝上置于镜检装置本体上。
2.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于，带膜铁环(5)由铁环(1)和蓝膜(3)组成，蓝膜(3)粘贴在铁环(1)的内圈边缘上，并位于铁环(1)的背面上。
3.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于，带膜伸张环(6)由伸张环(2)和蓝膜(3)组成，蓝膜(3)设置在伸张环(2)内圈内。
4.根据权利要求1所述的一种GaAs衬底LED芯片全切后的镜检装置，其特征在于，芯片本体(4)由GaAs材料制成，芯片本体(4)的尺寸小于伸张环(2)的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
