[实用新型]一种能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置有效
申请号: | 201921896039.0 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN210856331U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 颜长;刘恩华;潘岳林;姜大俊 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/34 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 224000 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 快速 锁定 异常 流量计 镀膜 装置 | ||
1.一种能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,包括:
反应容器(1),所述反应容器(1)具有至少两个气体进口(11);
测量组件,所述测量组件为至少两个,每个所述测量组件的两端分别连接在外部气源与所述气体进口(11)之间;
每个所述测量组件均包括:
第一流量计,所述第一流量计的一端与所述气体进口(11)相连,另一端与所述外部气源相连,
第一控制阀,所述第一控制阀为两个,其中一个所述第一控制阀设在所述第一流量计与所述气体进口(11)之间,另一个所述第一控制阀设在所述第一流量计与所述外部气源之间;
第二流量计,所述第二流量计与所述第一流量计并联设置;
第二控制阀,所述第二控制阀为两个,两个所述第二控制阀分别设在所述第二流量计的两端,所述第二流量计可拆卸的连接在两个所述第二控制阀之间。
2.根据权利要求1所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述气体进口(11)包括氨气进口(111)和硅烷进口(112),所述第一流量计包括第一氨气流量计(21)及第一硅烷流量计(31),所述第一控制阀包括第一氨气控制阀(22)及第一硅烷控制阀(32);所述第二流量计包括第二氨气流量计(23)及第二硅烷流量计(33),所述第二控制阀包括第二氨气控制阀(24)及第二硅烷控制阀(34)。
3.根据权利要求2所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述第一氨气流量计(21)与所述氨气进口(111)之间设有氨气调整控制阀(25),所述第一硅烷流量计(31)与所述硅烷进口(112)之间设有第一硅烷调整控制阀(35)。
4.根据权利要求3所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置还包括:
吹扫管道(6),所述吹扫管道(6)与所述第一硅烷流量计(31)并联,所述吹扫管道(6)上设有吹扫控制阀(61),所述吹扫管道(6)被配置为运输吹扫气体;
连接管道(7),所述连接管道(7)的一端与所述硅烷进口(112)相连,所述连接管道(7)的另一端与所述吹扫管道(6)及所述第一硅烷流量计(31)相连,所述第一硅烷调整控制阀(35)位于所述连接管道(7)的远离所述硅烷进口(112)的一端与所述第一硅烷控制阀(32)之间。
5.根据权利要求4所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置还包括:
分接管道(8),所述分接管道(8)的一端与所述连接管道(7)相连,所述分接管道(8)分别与所述第一硅烷流量计(31)及所述第二硅烷流量计(33)相连,所述第一硅烷调整控制阀(35)设在所述分接管道(8)上;
溢流管道(9),所述溢流管道(9)的一端与外部收集装置相连,另一端与所述分接管道(8)相连,所述溢流管道(9)上设有沿气体流动方向排布的第二硅烷调整控制阀(36)和溢流控制阀(91),其中,所述分接管道(8)与所述第一硅烷流量计(31)及所述第二硅烷流量计(33)相连的连接处位于所述第二硅烷调整控制阀(36)和所述第一硅烷调整控制阀(35)之间。
6.根据权利要求2所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述第一硅烷流量计(31)与外部硅烷源之间设有第一硅烷输送控制阀(37),所述第二硅烷流量计(33)与所述外部硅烷源之间设有第二硅烷输送控制阀(38)。
7.根据权利要求2所述的能够快速锁定异常流量计的管式镀膜装置,其特征在于,所述第一流量计还包括第一氮气流量计(42),所述第一控制阀还包括第一氮气控制阀(41),所述第二流量计还包括第二氮气流量计(43),所述第二控制阀还包括第二氮气控制阀(44),所述第一氮气流量计(42)及所述第二氮气流量计(43)的一端与外部氮气源相连,所述第一氮气流量计(42)及所述第二氮气流量计(43)的另一端与所述氨气进口(111)相连。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的