[实用新型]一种新型输出开关有效

专利信息
申请号: 201921824806.7 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN210518249U 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 吕强;孙忠民;郭靖;高连山;赵红武 申请(专利权)人: 西安硅宇微电子有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 输出 开关
【权利要求书】:

1.一种新型输出开关,其特征在于,包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4),其中:

所述第一PMOS管(P1)和第一NMOS管(N1)并联,并联后两侧的公共端分别为第一端口(S)和第二端口(D);

所述第一PMOS管(P1)的衬底通过第二PMOS管(P2)连接VDD电源;

所述第一NMOS管(N1)的衬底通过第二NMOS管(N2)连接VSS电源;

所述第三NMOS管(N3)和第四NMOS管(N4)串联在第一PMOS管(P1)衬底和第一NMOS管(N1)衬底之间;

所述第一NMOS管(N1)和第三NMOS管(N3)以及第四NMOS管(N4)的栅极均连接至第一控制端口(GN);

所述第一PMOS管(P1)的栅极连接至第二控制端口(GP)。

2.根据权利要求1所述的新型输出开关,其特征在于,还包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述第一电阻(R1)设置在第二PMOS管(P2)的漏极与第一PMOS管(P1)的衬底之间,所述第二电阻(R2)设置在第二NMOS管(N2)的漏极与第一NMOS管(N1)的衬底之间。

3.根据权利要求2所述的新型输出开关,其特征在于,所述第一端口(S)分别连接第一PMOS管(P1)的源极和第一NMOS管(N1)漏极,第二端口(D)分别连接第一PMOS管(P1)的漏极和第一NMOS管(N1)源极。

4.根据权利要求3所述的新型输出开关,其特征在于,所述第一PMOS管(P1)的衬底通过第一电阻(R1)连接第二PMOS管(P2)的漏极,第二PMOS管(P2)的源极连接VDD电源,第二NMOS管(N2)的漏极通过第二电阻(R2)连接第一NMOS管(N1)的衬底,第二NMOS管(N2)的源极连接VSS电源。

5.根据权利要求4所述的新型输出开关,其特征在于,所述第三NMOS管(N3)的漏极连接第一PMOS管(P1)的衬底,第三NMOS管(N3)的源极连接第四NMOS管(N4)的漏极,第四NMOS管(N4)的源极连接第一NMOS管(N1)的衬底。

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