[实用新型]一种应用于LED晶片扩晶的装置有效
申请号: | 201921824262.4 | 申请日: | 2019-10-28 |
公开(公告)号: | CN210349792U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 马景鹏 | 申请(专利权)人: | 连云港光鼎电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人: | 马海清 |
地址: | 222506 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 led 晶片 装置 | ||
1.一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:包括机架(1),所述机架(1)上设有扩晶结构以及设置在扩晶结构上方的压膜结构,所述扩晶结构一侧设有第一离子风扇(2),所述扩晶结构包括上压板(3)、下压板(4)以及设置在下压板(4)下方的置物腔(5),所述上压板(3)和下压板(4)一侧铰接,上压板(3)和下压板(4)另一侧通过锁紧装置(6)活动连接,所述上压板(3)上设有用于锁紧装置(6)的压头(601)放置的凹槽(602),所述凹槽(602)一侧的上压板(3)上设有磁铁片(7);
所述上压板(3)和下压板(4)上开设有尺寸大小一致的容置腔(8),所述下压板(4)底部通过立柱一(9)与置物腔(5)连接,所述置物腔(5)内设有气缸一(10),所述气缸一(10)的活塞杆端部穿过置物腔(5)连接设置在容置腔(8)内的扩晶盘(11),所述扩晶盘(11)内设有加热管线(12),所述扩晶盘(11)可在气缸一(10)作用下上下运动贯穿容置腔(8);
所述压膜结构包括设在置物腔(5)上端的立柱二(13)、立柱三(14)以及固定在立柱二(13)和立柱三(14)之间的支撑板(15),所述立柱二(13)设在上压板(3)与下压板(4)铰接的那一侧,且磁铁片(7)随着上压板(3)转动时磁铁片(7)对准立柱二(13),所述立柱三(14)设置在锁紧装置(6)的一侧且立柱三(14)上设有标尺(16),所述支撑板(15)上设有气缸二(17),所述气缸二(17)的活塞杆端部穿过支撑板(15)固定连接压板(18),所述压板(18)尺寸略大于扩晶盘(11)尺寸;
所述机架(1)上还设有立板(19),所述立板(19)上设有第二离子风扇(20)。
2.根据权利要求1所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:所述锁紧装置(6)为垂直式夹钳。
3.根据权利要求1所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:所述凹槽(602)内设有橡胶垫 。
4.根据权利要求1所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:所述上压板(3)侧壁上固定设有拉杆(21)。
5.根据权利要求4所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:所述拉杆(21)、扩晶盘(11)、上压板(3)和下压板(4)均为不锈钢制成。
6.根据权利要求1所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:所述上压板(3)和下压板(4)呈方形设置,立柱一(9)设置有四根,分别与下压板(4)下表面的四个对角处固定连接。
7.根据权利要求1所述的一种应用于LED晶片扩晶的装置,其特征在于:还包括套环(22),所述套环(22)的内径等于扩晶盘(11)外径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造