[实用新型]具三元化合物反射结构的发光二极体

说明书

本实用新型提供一种具三元化合物反射结构的发光二极体，包括于一透明基板上依序层迭设置有一N型半导体层、一多重量子阱、一P型半导体层及一电流扩散层，于该N型半导体层上设有一N型电极，于该P型半导体层上设有一P型电极，将一电流阻挡层设于该电流扩散层与该N形半导体层之间，并位于该P型电极的正下方及该多重量子阱的一侧，于该透明基板的底面设有一布拉格反射层，该布拉格反射层是由复数成对层迭的NbTiO_X/SIO₂化合物所构成的膜堆；藉此可将发光二极体的总反射率大幅提高，以达到提升发光亮度进而节省电力的功效。

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极体的结构方面的技术领域，尤指一种可将发光二极体的总反射率大幅提高，以达到提升发光亮度进而节省电力等功效的具三元化合物反射结构的发光二极体者。

背景技术

早期发光二极体的结构，如图1所示，主要是由一透明基板10、一N型半导体层11、一多重量子阱12、一P型半导体层13、一电流扩散层14、一N型电极15、一P型电极16及一电流阻挡层17所构成，其中该N型半导体层11层迭于该透明基板10上，该多重量子阱12层迭于该N型半导体层11上，该P型半导体层13层迭于该多重量子阱12上，该电流扩散层14层迭于该P型半导体层14上，该N型电极15设于该N型半导体层11上，该P型电极16设于该P型半导体层13上，该电流阻挡层17设于该电流扩散层14与该N形半导体层11之间，并位于该P型电极16的正下方及该多重量子阱12的一侧。当该发光二极体于发光时，该光源有一大部分会由该透明基板10透射出去，而使该光源形成大量散逸的现象，进而导致该发光二极体于使用时的亮度减弱。

有鉴于此，本申请人乃针对上述的问题，而深入构思，且积极研究改良试做而开发设计出本申请。

实用新型内容

本申请的主要目的在于解决习知发光二极体结构所存在的光源会形成大量散逸的现象进而导致该发光二极体于使用时的亮度减弱的问题。

本申请所述的具三元化合物反射结构的发光二极体，包括一透明基板、一N型半导体层、一多重量子阱、一P型半导体层、一电流扩散层、一N型电极、一P型电极、一电流阻挡层及一布拉格反射层。其中该N型半导体层层迭于该透明基板上。该多重量子阱层迭于该N型半导体层上。该P型半导体层层迭于该多重量子阱上。该电流扩散层层迭于该P型半导体层上。该N型电极设于该N型半导体层上。该N型电极设于该N型半导体层上。该电流阻挡层设于该电流扩散层与该N形半导体层之间，并位于该P型电极的正下方及该多重量子阱的一侧。该布拉格反射层是由复数成对层迭的NbTiO_X/SIO₂化合物所构成的膜堆，该NbTiO_X为一种新应用的三元化合物，其的n/k值的可调范围大，且镀膜后不易有雾化的现象。

本申请所提供的具三元化合物反射结构的发光二极体，可通过该布拉格反射层是由复数成对层迭的NbTiO_X/SIO₂等三元与二元化合物所构成的膜堆的设计，使其不但可利用该NbTiO_X的n/k值的可调范围大，尤其是N值可调的特性，使其在制程的调整上具有更大的自由度，因而可提高其反射率。而且，该NbTiO_X/SIO₂所构成的布拉格反射层，较不容易形成柱状晶，所以不容易有雾化现象，因此该NbTiO_X不但兼具有NbO_X低吸收系数的优点，更是具有TiO_X不易雾化的优点，而使其可进一步使该发光二极体的总反射率达到98％，进而较习知亮度能提升1.13％，相对的则可节省电力能源1.13％。而且本申请的发光二极体可通过该具三元化合物的布拉格反射层的作用，而使其在400nm～700nm的可见光范围之中局限性更好而不会有其它波段的杂光进入，所以发光可更为集中。另外，更是可使该发光二极体具有更好的发散角度(大角度入射也可)，进而使照明范围更广。

附图说明

图1为早期发光二极体的结构示意图。