[实用新型]具三元化合物反射结构的发光二极体有效

专利信息
申请号: 201921797826.X 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN211455717U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 江泓逸;庄渊州;张煌明;王俊凯;蔡宗晏;李俊仪;陈永升;潘泓任;薛旭宏;王谨铭;杨志民 申请(专利权)人: 光驰科技股份有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人: 韩登营
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 三元 化合物 反射 结构 发光 二极体
【权利要求书】:

1.一种具三元化合物反射结构的发光二极体,其特征在于,包括:

一透明基板;

一N型半导体层,其层迭于所述透明基板上;

一多重量子阱,其层迭于所述N型半导体层上;

一P型半导体层,其层迭于所述多重量子阱上;

一电流扩散层,其层迭于所述P型半导体层上;

一N型电极,其设于所述N型半导体层上;

一P型电极,其设于所述P型半导体层上;

一电流阻挡层,其设于所述电流扩散层与所述N型半导体层之间,并位于所述P型电极的正下方及所述多重量子阱的一侧;以及

一布拉格反射层,其设于所述透明基板的底面,且系为复数成对层迭的NbTiOX/SIO2化合物所构成的膜堆,所述NbTiOX为一种新应用的三元化合物。

2.如权利要求1所述的具三元化合物反射结构的发光二极体,其特征在于,所述电流扩散层为透明导电层,材质为ITO。

3.如权利要求2所述的具三元化合物反射结构的发光二极体,其特征在于,所述电流阻挡层的材质为SiO2

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光驰科技股份有限公司,未经光驰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921797826.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top