[实用新型]双向电子开关以及供电电路

权利要求书

1.一种双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET、第一降压组件、第二降压组件以及第一二极管、第二二极管；

所述第一MOSFET的源极与直流输入端或直流输出端连接，所述第二MOSFET的源极、漏极分别与所述第一MOSFET的漏极、直流输出端或直流输入端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOSFET的漏极连接，负极与所述第一MOSFET的源极连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOSFET的漏极连接，负极与所述第二MOSFET的源极连接；

所述第一降压组件的一端与所述第一MOSFET的正极连接，另一端分别与所述第三MOSFET的漏极、第二MOSFET的栅极以及第一晶体管的栅极连接，所述第二降压组件的一端与所述第二MOSFET的源极连接，另一端与所述第二MOSFET的栅极连接，所述第一降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第二二极管的正向导通电压，所述第二降压组件导通时两端的电压差绝对值大于所述第一二极管的正向导通电压；

所述第三MOSFET的源极接地，栅极与驱动信号输入端连接，其中，所述第一MOSFET和第二MOSFET为P沟道耗尽型MOSFET，第三MOSFET为N沟道增强型MOSFET，所述第三MOSFET通过所述驱动信号输入端接收驱动信号，并根据所述驱动信号导通或截止，进而控制所述直流输入端或直流输出端与所述直流输出端或直流输入端之间导通或断开。

2.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第一降压组件包括第三二极管、第四二极管，所述第三二极管的负极与所述第一MOSFET的源极连接，正极与所述第四二极管的正极连接，所述第四二极管的负极与所述第一MOSFET的栅极连接。

3.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述第二降压组件包括第五二极管、第六二极管，所述第五二极管的负极与所述第二MOSFET的源极连接，正极与所述第六二极管的正极连接，所述第六二极管的负极与所述第二MOSFET的栅极连接。

4.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第一三极管、第二三极管，所述第一三极管的发射极、集电极分别与所述直流输入端或直流输出端、第一MOSFET的栅极连接，所述第二三极管的发射极、集电极分别与所述直流输出端或直流输入端、第二MOSFET的栅极连接，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接。

5.如权利要求4所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第一电容、第一电阻，所述第一电容与所述第一电阻并联，所述第一电容的一端与所述第一三极管的集电极连接，另一端与所述第一三极管的基极连接。

6.如权利要求4所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一三极管的基极连接，另一端与所述第三MOSFT的漏极连接。

7.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第三MOSFET的栅极连接，另一端与所述驱动信号输入端连接。

8.如权利要求1所述的双向电子开关，其特征在于，所述双向电子开关还包括第四电阻，所述第四电阻的一端与所述驱动信号输入端连接，另一端与所述第三MOSFT的栅极连接。