[实用新型]电极保护装置有效

专利信息
申请号: 201921576498.0 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN210296287U 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 张军;沈吉 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04;H01J37/02;H01J37/30
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201315*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 电极 保护装置
【说明书】:

实用新型提供了一种电极保护装置,用于保护一等离子刻蚀设备的上电极,包括:绝缘环,套设在所述上电极的外侧;遮蔽环,位于所述上电极的上方且在所述绝缘环的内环面内,所述遮蔽环的环面至少遮盖所述上电极的顶部。利用遮蔽环实现对上电极边缘的保护,避免了上电极边缘因受到电磁波和电场的影响而被刻蚀。整个装置结构简单,易于实现。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种电极保护装置。

背景技术

在半导体生产中,干法刻蚀时是用来去除表面材料的刻蚀方法。干法刻蚀一般在等离子刻蚀设备中进行,当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。离子刻蚀设备的工作原理是:在真空低气压下,射频电源产生的射频输出到上电极,以一定比例混合的刻蚀气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极的RF射频作用下,这些等离子体对基片表面进行轰击,使得基片图形区域的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体生成挥发性物质,以气体形式脱离基片。上电极一般为电感线圈,所述电感线圈的表面环绕设置有绝缘环,但是电感线圈的上部边缘容易受到电磁波与电场的影响,进而被等离子体刻蚀,因此,需要研究一种保护装置来保护等离子刻蚀设备的上电极的边缘。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电极保护装置,用于保护等离子刻蚀设备的上电极的边缘,避免所述上电极边缘因受到电磁波与电场的影响而被刻蚀。

为了达到上述目的,本实用新型提供了一种电极保护装置,用于保护一等离子刻蚀设备的上电极,所述上电极呈环形,包括:

绝缘环,套设在所述上电极的外侧;

遮蔽环,位于所述上电极的上方且在所述绝缘环的内环面内,所述遮蔽环的环面至少遮盖所述上电极的顶部。

可选的,所述遮蔽环靠近所述上电极的表面上设置有环形凸脊。

可选的,所述电极保护装置还包括沿所述绝缘环的内环面周向设置的若干连接件,所述遮蔽环的外环面通过所述连接件与所述绝缘环的内环面可拆卸连接。

可选的,所述连接件沿所述绝缘环的内环面均匀分布。

可选的,所述连接件包括螺柱及螺帽,所述螺柱的一端与所述螺帽螺纹连接,所述绝缘环的内环面上设置有若干螺纹孔,所述螺柱的另一端旋入所述螺纹孔以连接所述绝缘环,所述螺帽的头部封闭且设置有一卡槽,所述遮蔽环的外环面卡入所述卡槽内以连接所述连接件。

可选的,所述螺柱的两端分别为第一端及第二端,所述第一端及第二端沿所述螺柱的轴向均设置有外螺纹,且所述第一端的外螺纹的外径大于所述第二端外螺纹的外径,所述螺帽的一端设置有与所述第二端外螺纹相匹配的内螺纹。

可选的,所述螺柱的材质为耐磨陶瓷。

可选的,所述卡槽的槽口方向平行于所述遮蔽环所在的表面。

可选的,所述绝缘环的材质为石英或陶瓷。

可选的,所述上电极为电感线圈。

本实用新型提供了一种电极保护装置,用于保护一等离子刻蚀设备的上电极,包括:绝缘环,套设在所述上电极的外侧;遮蔽环,位于所述上电极的上方且在所述绝缘环的内环面内,所述遮蔽环的环面至少遮盖所述上电极的顶部。利用遮蔽环对上电极的边缘进行保护,避免上电极的边缘因受到电场和磁场的影响而被刻蚀,整个装置结构简单,易于实现。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种电极保护装置的结构示意图;

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