[实用新型]一种半导体设备

说明书

本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座包括：一加热器，设置在所述基座上；一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。本实用新型提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。

背景技术

在半导体工业集成电路制造行业中，多采用磁控溅射(Magnetron Sputtering)技术，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。

工艺中，磁控溅射过程可为：工艺腔室中的电子在电场作用下向基片运动，在飞向基片的过程中与氩原子碰撞，使氩原子电离得到带正电的氩离子和二次电子；其中，氩离子向具有负电势的靶材方向加速运动的过程中获得动量，轰击靶材使靶材发生溅射，以生成溅射粒子；二次电子在电场和外加磁铁产生的磁场的作用下，其运动轨迹近似于一条摆线，二次电子在沿其轨迹运动的过程中继续碰撞氩原子以电离得到新的氩离子和新的二次电子；再者，氩离子轰击靶材所生成溅射粒子中的中性靶材原子或分子迁移到硅片表面，并通过沉积的方式在硅片表面凝聚以形成薄膜，该薄膜具有和靶材基本相同的组份；且在由氩离子轰击靶材时所产生的尾气或其它杂质可由真空泵抽走。

但是在上述工艺中，在实际应用中会存在以下问题：直接溅射完成后薄膜的均匀性较差，使得在下一步的工艺中还需要后续处理，工艺过程繁琐。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体设备，以提高镀膜的均匀性，提高镀膜的质量，提高工作效率。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：

生长腔体；

基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；

靶材，设置在所述生长腔体内；

磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；

其中，所述基座包括：

一加热器，设置在所述基座上；

一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。

在一实施例中，所述加热器包括多个加热电极及加热线圈，所述多个加热电极连接所述加热线圈。

在一实施例中，所述多个加热电极分别设置在所述基座的四周。

在一实施例中，所述加热线圈包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分关于所述加热线圈的中心对称连接。

在一实施例中，所述第一部分从外至内依次包括第一弧边，第二弧边及第三弧边。

在一实施例中，所述第一弧边的一端连接所述第二弧边的一端，所述第二弧边的另一端连接所述第三弧边。

在一实施例中，所述第一弧边的另一端连接所述加热电极。

在一实施例中，所述第一部分通过所述第三弧边连接所述第二部分。

在一实施例中，所述多个测温点靠近所述多个加热电极。

在一实施例中，所述加热器及多个测温点设置在所述基座的一面上，所述基板设置在所述基座的另一面上。

综上所述，本实用新型提出一种半导体设备，通过在基座上设置一加热器，使得对基座进行均匀加热，然后通过测温装置对基座的多个位置进行实时测温，有效控制基座上各位置上的温度变化，从而使得基座及基座上的基板处于温度均匀的状态下，有利于溅射离子在基板上沉积，有利于提高镀膜的均匀性，提高工作效率。