[实用新型]一种半导体设备有效
| 申请号: | 201921572824.0 | 申请日: | 2019-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN211445885U | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
| 发明(设计)人: | 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备,其特征在于,包括:
生长腔体;
基座,设置在所述生长腔体内,所述基座允许放置基板;
靶材,设置在所述生长腔体内;
磁体,设置在所述靶材的相对的位置上;
其中,所述基座包括:
一加热器,设置在所述基座上;
一测温装置,包括多个测温点,所述多个测温点分别设置在所述基座上。
2.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于:所述加热器包括多个加热电极及加热线圈,所述多个加热电极连接所述加热线圈。
3.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于:所述多个加热电极设置在所述基座的四周。
4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于:所述加热线圈包括第一部分及第二部分,所述第一部分及所述第二部分关于所述加热线圈的中心对称连接。
5.根据权利要求4所述的半导体设备,其特征在于:所述第一部分从外至内依次包括第一弧边,第二弧边及第三弧边。
6.根据权利要求5所述的半导体设备,其特征在于:所述第一弧边的一端连接所述第二弧边的一端,所述第二弧边的另一端连接所述第三弧边。
7.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于:所述第一弧边的另一端连接所述加热电极。
8.根据权利要求7所述的半导体设备,其特征在于:所述第一部分通过所述第三弧边连接所述第二部分。
9.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于:所述多个测温点靠近所述多个加热电极。
10.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于:所述加热器及多个测温点设置在所述基座的一面上,所述基板设置在所述基座的另一面上。
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