[实用新型]一种半导体设备有效

专利信息
申请号: 201921572824.0 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN211445885U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 申请(专利权)人: 深圳市晶相技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 王华英
地址: 518000 广东省深圳市坪山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体设备
【权利要求书】:

1.一种半导体设备,其特征在于,包括:

生长腔体;

基座,设置在所述生长腔体内,所述基座允许放置基板;

靶材,设置在所述生长腔体内;

磁体,设置在所述靶材的相对的位置上;

其中,所述基座包括:

一加热器,设置在所述基座上;

一测温装置,包括多个测温点,所述多个测温点分别设置在所述基座上。

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于:所述加热器包括多个加热电极及加热线圈,所述多个加热电极连接所述加热线圈。

3.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于:所述多个加热电极设置在所述基座的四周。

4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于:所述加热线圈包括第一部分及第二部分,所述第一部分及所述第二部分关于所述加热线圈的中心对称连接。

5.根据权利要求4所述的半导体设备,其特征在于:所述第一部分从外至内依次包括第一弧边,第二弧边及第三弧边。

6.根据权利要求5所述的半导体设备,其特征在于:所述第一弧边的一端连接所述第二弧边的一端,所述第二弧边的另一端连接所述第三弧边。

7.根据权利要求6所述的半导体设备,其特征在于:所述第一弧边的另一端连接所述加热电极。

8.根据权利要求7所述的半导体设备,其特征在于:所述第一部分通过所述第三弧边连接所述第二部分。

9.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于:所述多个测温点靠近所述多个加热电极。

10.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于:所述加热器及多个测温点设置在所述基座的一面上,所述基板设置在所述基座的另一面上。

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