[实用新型]一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构

说明书

本实用新型涉及微型电子器件封装体技术领域，尤其是一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构，包括基片和多层膜结构，所述基片的表面制作有表面波换能器，基片上至少设置有一个用于球焊的电极，以及相应的焊球，所述多层膜结构包括有机介质膜一和有机介质膜二，基片和多层膜结构之间的组合关系从下到上依次为基片、制作于基片表面的表面波换能器、有机介质膜一、有机介质膜二，所述有机介质膜一和有机介质膜二上贯穿设置有与电极对应的通孔，焊球通过通孔与电极连接，所述有机介质膜一上对应于表面波换能器处设置有通槽，有机介质膜一与基片重叠时表面波换能器置于通槽内，本实用新型改进其繁琐的工艺流程，提升成品率和生产效率。

技术领域

本实用新型涉及微型电子器件封装体技术领域，具体领域为一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构。

背景技术

在物理学中，表面波是沿弹性介质表面或薄层间传播的机械波。弹性表面波可以沿固体表面行进，如导致地震严重灾害的表面波，就是为科学家瑞利发现的瑞利波。

声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)器件是一种利用压电晶体的(逆)压电效应在晶体表面产生声表面波，实施电磁波与声波的能量转换，实现射频电信号的频率选择功能的微型电子器件。声表面波器件，尤其是声表面波滤波器(Surface Acoustic WaveFilter，SAWF)具有设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择优良(可选频率范围在10MHz-3GHz)、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好(EMI)、可靠性高、制作的器件体积小、重量轻，频率选择性好等优势，而且能够实现多种复杂的功能，一直是移动通讯和汽车电子的关键器件。

随着移动通讯等领域技术的不断发展，新兴的技术应用对SAWF提出了越来越高的要求，而当今世界范围内SAWF的发展趋势是小型化。2001-2015年欧美、日本的SAWF体积缩小到原来尺寸的1％，由此使得移动电话的体积大大缩小，目前日本村田公司推出的声表面波双工器，尺寸仅为1.8×1.4×0.6cm3，重量为15mg。采用无引脚陶瓷外壳和引线键合技术的声表面波器件尺寸为3.0×3.0mm²，其厚度达到1.2mm，封装面积：芯片面积≥2mm²。采用陶瓷基板和倒装技术结合的CSP声表面波器件外形尺寸缩小到1.1×0.9mm²，器件的厚度为0.5mm，封装面积：芯片面积≤1.5mm²。WLP的典型器件尺寸缩小到0.8×0.6mm²，器件的厚度小于0.3mm，封装面积：芯片面积≈1mm²，体积仅为CSP封装的29％。

图1所示是现有技术中一种晶圆级封装，该封装将与功能晶圆相同材料的上盖晶圆通过聚合物框粘接在一起，在声表面波工作区上方形成空腔。为了形成牢固的粘接，聚合物密封框较宽达50μm以上，采用金属布线从器件的侧面将外部金属和内部的电极形成互连。由于内部引线需要引到封装外部，需要增加封装的尺寸，导致引线过长严重影响射频器件的性能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构，以解决现有技术中引线过长严重影响射频器件性能的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种微型电子器件的整片晶圆级封装结构，包括基片和多层膜结构，所述基片的表面制作有表面波换能器，基片上至少设置有一个用于球焊的电极，以及相应的焊球，所述多层膜结构包括有机介质膜一和有机介质膜二，基片和多层膜结构之间的组合关系从下到上依次为基片、制作于基片表面的表面波换能器、有机介质膜一、有机介质膜二，所述有机介质膜一和有机介质膜二上贯穿设置有与电极对应的通孔，焊球通过通孔与电极连接，所述有机介质膜一上对应于表面波换能器处设置有通槽，有机介质膜一与基片重叠时表面波换能器置于通槽内，有机介质膜二的下表面与有机介质膜一的上表面重叠，通过有机介质膜二的下表面与通槽进行上端封闭，通过有机介质膜二和基片对通槽进行上下两端封闭形成密封腔。