[实用新型]一体式减薄装置

说明书

本实用新型公开了一种一体式减薄装置，包括机体、旋转托盘、存储筒、和晶圆转移组件，机体上设有磨削机构，旋转托盘可转动地设于机体上，旋转托盘上设有至少两个承片台系统，存储筒设于机体上，晶圆转移组件包括电动滑轨、伸缩机构以及第一真空吸盘，电动滑轨设于机体上，伸缩机构的固定端设于电动滑轨的滑块上，第一真空吸盘固设于伸缩机构的伸缩端，电动滑轨用于驱动伸缩机构移动于存储筒和贴膜工位之间，且存储筒和贴膜工位均位于电动滑轨的下方，以能够供第一真空吸盘吸取待加工晶圆至位于贴膜工位且预先覆盖有保护膜的承片台系统上。该一体式减薄装置集合覆膜与减薄功能，提高减薄效率，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及减薄装置技术领域，尤其涉及一种一体式减薄装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。在半导体产业制程中，通常在集成电路封装前，需要对晶圆背面多余的基体材料去除一定的厚度，以能够制作更复杂、更小型化的集成电路，这一工艺过程称之为晶圆背面减薄工艺。

晶圆减薄工艺是必需工艺之一，以LED制程为例，需要对晶圆的背面减薄至一定厚度后进行划片切割。减薄时为了防止晶圆正面被损伤，往往需要先在晶圆正面覆盖一层保护膜，再将承载着保护膜的晶圆置于减薄机中对其背面进行减薄。

现有技术中的减薄机，例如申请号为CN201711430682.X所公开的一种减薄机以及申请号为CN201510988775.9所公开的一种回转工作台装置及晶圆减薄机，均是覆膜与减薄两道工序相互分离，多数情况覆膜过程由人工完成，耗时耗力，严重降低减薄工序效率。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种一体式减薄装置，集合覆膜与减薄功能，提高减薄效率，降低成本。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一体式减薄装置，包括：

机体，机体上设有磨削机构和用于存储待加工晶圆的存储筒；

旋转托盘，旋转托盘可转动地设于机体的底部；

至少两个用于放置晶圆的承片台系统，所述承片台系统设于旋转托盘上，所述承片台系统由旋转托盘驱动以切换每个承片台系统的工位，所述旋转托盘处于工作位置时，至少一个承片台系统位于磨削工位，至少一个承片台系统位于贴膜工位；

晶圆转移组件，包括电动滑轨、伸缩机构以及第一真空吸盘，所述电动滑轨固设于所述机体上，所述伸缩机构与所述磨削机构平行，所述伸缩机构的固定端设于所述电动滑轨的滑块上，所述第一真空吸盘固设于所述伸缩机构的伸缩端；

所述存储筒和贴膜工位均位于电动滑轨的下方，所述磨削工位位于磨削机构的下方；

所述电动滑轨用于驱动所述伸缩机构在存储筒和贴膜工位之间移动，以使第一真空吸盘将待加工晶圆从存储筒吸至位于贴膜工位且预先覆盖有保护膜的承片台系统上；

当所述待加工晶圆位于贴膜工位时，所述伸缩机构能够向下伸出，从而驱动第一真空吸盘将待加工晶圆与保护膜贴紧。

进一步地，所述保护膜的边缘设有凸出的导磁金属环，所述导磁金属环用于支撑所述保护膜，所述承片台系统包括支撑柱、用于吸附保护膜的第二真空吸盘和用于吸附导磁金属环的电磁吸头，所述支撑柱的底面与所述旋转托盘连接，所述第二真空吸盘安装于所述支撑柱的顶面的中部位置，所述电磁吸头环绕所述第二真空吸盘布置且安装于所述支撑柱的顶面的边缘位置，且所述电磁吸头低于所述第二真空吸盘，以使所述支撑柱的顶面为中部高而边缘低的台阶面。

进一步地，所述第二真空吸盘的边缘具有倒角。