[实用新型]一种单玻组件用封装胶膜、制备其的设备及单玻组件有效
| 申请号: | 201921262121.8 | 申请日: | 2019-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN210123744U | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
| 发明(设计)人: | 刘宝信;彭丽霞;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 组件 封装 胶膜 制备 设备 | ||
1.一种单玻组件用封装胶膜,其特征在于,所述封装胶膜包括正面和背面;
所述正面上具有与所述单玻组件的电池片焊带相配合的平行排列的凹槽,所述正面上的凹槽之间的区域形成平行排列的凸起;
所述背面上,与所述正面上的凹槽相对的位置具有平行排列的凸起,所述背面上的凸起之间的区域形成平行排列的凹槽。
2.根据权利要求1所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凸起与所述背面上的凹槽之间的胶膜厚度T1不大于所述正面上的凹槽与所述背面上的凸起之间的胶膜厚度T2。
3.根据权利要求2所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凸起与所述背面上的凹槽之间的胶膜厚度T1为0.05-1mm。
4.根据权利要求2所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凸起与所述背面上的凹槽之间的胶膜厚度T1为0.2-0.5mm。
5.根据权利要求2所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽与所述背面上的凸起之间的胶膜厚度T2为0.1-2mm。
6.根据权利要求2所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽与所述背面上的凸起之间的胶膜厚度T2为0.3-0.7mm。
7.根据权利要求1所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽的深度D1大于等于所述正面上的凸起与所述背面上的凹槽之间的胶膜厚度T1,所述背面上的凹槽的深度D2大于等于正面上的凹槽与所述背面上的凸起之间的胶膜厚度T2。
8.根据权利要求7所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽的深度D1为0.1-1mm。
9.根据权利要求7所述的封装胶膜,其特征在于,所述背面上的凹槽的深度D2为0.2-2mm。
10.根据权利要求1所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽的宽度W1大于等于所述单玻组件的电池片上焊带的宽度,所述正面上相邻凹槽之间的间距S1小于等于所述单玻组件的电池片上相邻焊带之间的间距。
11.根据权利要求10所述的封装胶膜,其特征在于,所述正面上的凹槽的宽度W1比所述单玻组件的电池片焊带的宽度大0.1-3mm。
12.一种制备如权利要求1-11任一项所述的封装胶膜的设备,其特征在于,所述设备包括相对间隔设置的用于形成所述封装胶膜的第一成型辊和第二成型辊;
所述第一成型辊上具有环绕所述第一成型辊的外周面一周且垂直于所述第一成型辊的轴线的环状凹槽;
所述第二成型辊上具有环绕所述第二成型辊外周面一周且垂直于所述第二成型辊的轴线的环状凸起;
所述第一成型辊上的凹槽与所述第二成型辊上的凸起相匹配。
13.根据权利要求12所述的设备,其特征在于,所述第一成型辊上的凹槽深度小于等于所述第二成型辊上的凸起高度。
14.根据权利要求13所述的设备,其特征在于,所述第一成型辊上的凹槽深度为0.1-1mm,所述第二成型辊上的凸起高度为0.2-2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





