[实用新型]一种反应腔室的气体分配装置有效
申请号: | 201921046037.2 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN210136851U | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 易重洲 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 反应 气体 分配 装置 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种反应腔室的气体分配装置,气体分配装置分别连接反应腔室的多个进气孔,包括:一供给管道,连接一气体分配室的一端,供给管道用于提供反应气体;一第一分气管道和一第二分气管道,第一分气管道的入口端和第二分气管道的入口端均连接于气体分配室的另一端,第一分气管道的出口端和第二分气管道的出口端分别连接不同的进气孔;一分气器,设置于第一分气管道的入口端和第二分气管道的入口端,用于分配第一分气管道和第二分气管道的进气量。本实用新型的有益效果:通过气体分配装置调节反应腔室内各个区域的反应气体的密度,以使各个区域内的反应气体的密度均衡,从而提升氧化层的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种反应腔室的气体分配装置。
背景技术
在半导体的制造过程中,提供给快速热退火机台的反应腔室的反应气体是从反应腔室的多个进气孔等量流入,如图1所示,气体供给管道直接与反应腔室的进气孔连接,由于反应腔室2的形状和进气孔201排列的问题,导致反应气体流过反应腔室2各个区域的密度不一样,反应腔室2内的中心区域流经的反应气体的密度较大,而反应腔室2的边缘区域流经的反应气体密度较小。在反应腔室2的各区域气体密度不均匀的影响下,生成的氧化层也不均匀,尤其是中间区域和边缘区域的厚度相差约为3%,氧化层的均匀性远达不到要求。因此,现需一种反应腔室的气体分配装置,对反应腔室内各个区域的反应气体进行分配,以提高氧化层的均匀性。
发明内容
针对现有技术中在存在的上述问题,现提供一种反应腔室的气体分配装置。
具体技术方案如下:
本实用新型包括一种反应腔室的气体分配装置,所述气体分配装置分别连接所述反应腔室的多个进气孔,包括:
一供给管道,连接一气体分配室的一端,所述供给管道用于提供一反应气体;
一第一分气管道和一第二分气管道,所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端均连接于所述气体分配室的另一端,所述第一分气管道的出口端和所述第二分气管道的出口端分别连接不同的所述进气孔;
一分气器,设置于所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端,用于分配所述第一分气管道和所述第二分气管道的进气量。
优选的,多个所述进气孔尺寸相同,且均匀地设置于所述反应腔室的周向的一弧线上。
优选的,所述第一分气管道的出口端连接位于所述反应腔室内的一第一预设位置的多个所述进气孔;
所述第二分气管道的出口端连接位于所述反应腔室内的一第二预设位置的多个所述进气孔。
优选的,所述第一预设位置为所述反应腔室周向的一弧线的中间位置。
优选的,所述第二预设位置为所述中间位置的两侧。
优选的,所述分气器包括:
一挡板,同时覆盖于量所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端;
一驱动机构,连接所述挡板,用于调节所述挡板的位置。
优选的,所述挡板的材质为铁。
优选的,所述反应腔室还包括一气体出口,多个所述进气孔中直接对应于所述气体出口的所述进气孔连接所述第一分气管道,将其余的所述进气孔连接所述第二分气管道。
优选的,连接所述第一分气管道的所述进气孔的数量为12~16个。
优选的,连接所述第二分气管道的所述进气孔的数量为4~8个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造