[实用新型]一种反应腔室的气体分配装置有效
| 申请号： | 201921046037.2 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN210136851U | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 易重洲 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反应 气体 分配 装置 | ||
1.一种反应腔室的气体分配装置，所述气体分配装置分别连接所述反应腔室的多个进气孔，其特征在于，包括：
一供给管道，连接一气体分配室的一端，所述供给管道用于提供一反应气体；
一第一分气管道和一第二分气管道，所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端均连接于所述气体分配室的另一端，所述第一分气管道的出口端和所述第二分气管道的出口端分别连接不同的所述进气孔；
一分气器，设置于所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端，用于分配所述第一分气管道和所述第二分气管道的进气量。
2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，多个所述进气孔尺寸相同，且均匀地设置于所述反应腔室周向的一弧线上。
3.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述第一分气管道的出口端连接位于所述反应腔室内的一第一预设位置的多个所述进气孔；
所述第二分气管道的出口端连接位于所述反应腔室内的一第二预设位置的多个所述进气孔。
4.根据权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，所述第一预设位置为所述反应腔室周向的一弧线的中间位置。
5.根据权利要求4所述的气体分配装置，其特征在于，所述第二预设位置为所述中间位置的两侧。
6.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述分气器包括：
一挡板，同时覆盖于所述第一分气管道的入口端和所述第二分气管道的入口端；
一驱动机构，连接所述挡板，用于调节所述挡板的位置。
7.根据权利要求6所述的气体分配装置，其特征在于，所述挡板的材质为铁。
8.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述反应腔室还包括一气体出口，多个所述进气孔中直接对应于所述气体出口的所述进气孔连接所述第一分气管道，将其余的所述进气孔连接所述第二分气管道。
9.根据权利要求8所述的气体分配装置，其特征在于，连接所述第一分气管道的所述进气孔的数量为12～16个。
10.根据权利要求8所述的气体分配装置，其特征在于，连接所述第二分气管道的所述进气孔的数量为4～8个。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
