[实用新型]一种IC芯片自控温机构有效
| 申请号： | 201920988641.0 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210223946U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张昕 | 申请（专利权）人： | 天津荣事顺发电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/38 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 韩帅 |
| 地址： | 300402 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ic 芯片 自控 机构 | ||
1.一种IC芯片自控温机构，由机构本体构成；其特征在于，所述机构本体包括主电路板陶瓷片和半导体制冷陶瓷片；所述主电路板陶瓷片一侧表面上设置有带IC芯片的电路图层；其另一侧表面设置有第一制冷电路图层；所述半导体陶瓷片表面上设置有第二制冷电路图层；所述第一制冷电路图层通过由P粒子和N粒子组成的连接层与所述第二制冷电路图层连接。
2.根据权利要求1所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述半导体制冷陶瓷片上还连接有散热机构。
3.根据权利要求2所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述主电路板陶瓷片设置有信号传输的通孔。
4.一种IC芯片自控温机构，由机构本体构成；其特征在于，所述机构本体包括主电路板陶瓷片和半导体制冷陶瓷片；所述主电路板陶瓷片一侧表面上设置有带IC芯片的电路图层和第一制冷电路图层；所述半导体制冷陶瓷片表面上设置有第二制冷电路图层；所述第一制冷电路图层通过由P粒子和N粒子组成的连接层与所述第二制冷电路图层连接。
5.根据权利要求4所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述主电路板陶瓷片和所述半导体制冷陶瓷片采用整体封装结构，所述IC芯片的引脚伸出所述主电路板陶瓷片与其他电路连接，所述半导体制冷陶瓷片上连接有散热机构。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述IC芯片上设置有传感器，所述IC芯片通过引脚与主电路板陶瓷片上的电路图层相应部分连接。
7.根据权利要求6所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述主电路板陶瓷片和半导体制冷陶瓷片中的陶瓷片均为氮化铝陶瓷、氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷和氧化铍陶瓷。
8.根据权利要求7所述的一种IC芯片自控温机构，其特征在于,所述第一制冷电路图层和第二电路图层相互吻合构成制冷电流回路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
