[实用新型]一种降低正向压降的肖特基二极管

权利要求书

1.一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：包括

一第一导电类型碳化硅衬底；

一第一导电类型碳化硅漂移层一，位于所述第一导电类型碳化硅衬底的正面；

一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于所述第一导电类型碳化硅漂移层一上；

至少一个第二导电类型的有源注入区，所述第二导电类型的有源注入区设于所述第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；

一第二导电类型JTE注入区，设于所述第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；

一场氧层，位于所述第一导电类型碳化硅漂移层二上，所述场氧层覆盖所述第二导电类型JTE注入区，所述场氧层的宽度小于所述第一导电类型碳化硅漂移层一的宽度，且所述场氧层的宽度大于所述第二导电类型JTE注入区的宽度；

一正面接触金属，所述正面接触金属设于所述第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且所述正面接触金属一侧面连接至所述场氧层一侧面，且所述正面接触金属的宽度等于所述第一导电类型碳化硅漂移层一的宽度减去所述场氧层的宽度；以及，

一背面接触金属，位于所述第一导电类型碳化硅衬底的背面。

2.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述的第一导电类型碳化硅漂移层二，厚度0.01～0.5um之间。

3.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述第二导电类型的有源注入区的注入宽度为0.1～10微米，注入深度为0.1～5微米，且需大于所述第一导电类型碳化硅漂移层二的厚度。

4.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述第二导电类型JTE注入区的掺杂浓度低于第二导电类型的有源注入区的掺杂浓度，所述第二导电类型JTE注入区的注入深度为0.1～5微米。

5.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述的场氧层厚度为0.1～5微米。

6.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述的正面接触金属的接触包含有欧姆接触及肖特基接触，所述正面接触金属为Ti、Ni、Al、Ag、Pt、Au、Mo、Wu、或氧化物类金属。

7.如权利要求1所述的一种降低正向压降的肖特基二极管，其特征在于：所述的背面接触金属的接触为欧姆接触，所述背面接触金属为Ti、Ni、Al、Ag、Pt、Au、Mo、Wu、或氧化物类金属。