[实用新型]一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池有效
申请号: | 201920901059.6 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN209963065U | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请(专利权)人: | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/055;H01L31/076 |
代理公司: | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 唐致明 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案化 太阳能电池 本实用新型 量子点材料 太阳能电池领域 依次层叠 转换效率 应用 | ||
本实用新型公开了一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池,所述具有图案化PDMS结构的太阳能电池由下至上包括Ⅲ‑Ⅴ族太阳能电池和设置在所述Ⅲ‑Ⅴ族太阳能电池上的图案化PDMS结构;所述图案化PDMS结构由下至上包括依次层叠设置的量子点材料层和图案化PDMS层,或者所述图案化PDMS结构包括图案化PDMS层和分散于所述图案化PDMS层中的量子点材料。本实用新型通过设置图案化PDMS结构能够进一步提高太阳能电池的转换效率,在太阳能电池领域具有较好的应用前景。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其是涉及一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池能够将光能转换成电能,也称为光伏电池(Photovoltaic,PV),其中III-V族太阳能电池因其具有较高的转换效率而备受关注。III-V族化合物为直接带隙半导体,不会发生晶体动量的改变,使得III-V族太阳能电池在微电子的应用上具有更优异的性能,此外III-V族化合物带隙宽,而且三元或四元的混合III-V族化合物如InGaP等更能使带隙的设计变化更大,从而使得III-V族太阳能电池具备高效率的性能。目前III-V族太阳能电池领域发展迅速且相关产品众多,然而人们还是期望在III-V族太阳能电池的基础上进一步提高其转换效率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池,图案化PDMS结构能够进一步提高太阳能电池的转换效率。
本实用新型所采取的技术方案是:
本实用新型提供一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池,由下至上包括Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池和设置在所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上的图案化PDMS结构;所述图案化PDMS结构由下至上包括依次层叠设置的量子点材料层和图案化PDMS层,或者所述图案化PDMS结构包括图案化PDMS层和分散于所述图案化PDMS层中的量子点材料。图案化PDMS层是指PDMS(聚二甲基硅氧烷)材料形成的表面具有图案的结构。
优选地,所述图案化PDMS层的图案化高度为1~5μm。
优选地,所述量子点材料包括CdS、CdSe中的任一种。
优选地,所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池由下至上包括Ge底电池、第一隧道结、GaAs中电池、第二隧道结和InGaP顶电池。
进一步地,所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池由下至上包括p型Ge层、n型Ge层、n型GaAs层、n++GaAs层、p++GaAs层、p型InGaAlP层、p型GaAs层、n型GaAs层、n型InGaAlP层、n++GaAs层、p++GaAs层、p型InGaAlP层、p型InGaP层、n型InGaP层和n型InAlP层。
优选地,所述图案化PDMS结构上还设置有量子点材料层。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型提供的太阳能电池具有图案化PDMS结构,其中图案化PDMS层能够有效地减少表面反射率和增加入射光散射,进而进一步提高了太阳能电池的功率转换效率,此外设置在太阳能电池表面的量子点材料层或者分散在图案化PDMS层中的量子点材料在紫外光(UV)或近紫外光(near-UV)的范围具有吸收性,能够将高能光子转换成可见光子,从而可以强烈吸收短波长的光线并有效地将其转成可见光波长,进而再改善了Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池效率。相较于传统上多采用在表面上设置平面式抗反射层镀膜的方式,本实用新型太阳能电池中的PDMS结构具有更好的提高转换效率的效果。
附图说明
图1为实施例1中具有图案化PDMS结构的太阳能电池的结构示意图;
图2为实施例1中压印模板一的制备示意图;
图3为实施例2中压印模板二的制备示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的