[实用新型]一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池有效
| 申请号： | 201920901059.6 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN209963065U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/055;H01L31/076 |
| 代理公司： | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案化 太阳能电池 本实用新型 量子点材料 太阳能电池领域 依次层叠 转换效率 应用 | ||
1.一种具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，由下至上包括Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池和设置在所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池上的图案化PDMS结构；所述图案化PDMS结构由下至上包括依次层叠设置的量子点材料层和图案化PDMS层，或者所述图案化PDMS结构包括图案化PDMS层和分散于所述图案化PDMS层中的量子点材料。
2.根据权利要求1所述的具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，所述图案化PDMS层的图案化高度为1～5μm。
3.根据权利要求1所述的具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，所述量子点材料包括CdS、CdSe中的任一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池由下至上包括Ge底电池、第一隧道结、GaAs中电池、第二隧道结和InGaP顶电池。
5.根据权利要求4所述的具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池由下至上包括p型Ge层、n型Ge层、n型GaAs层、n++GaAs层、p++GaAs层、p型InGaAlP层、p型GaAs层、n型GaAs层、n型InGaAlP层、n++GaAs层、p++GaAs层、p型InGaAlP层、p型InGaP层、n型InGaP层和n型InAlP层。
6.根据权利要求1-3任一项所述的具有图案化PDMS结构的太阳能电池，其特征在于，所述图案化PDMS结构上还设置有量子点材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
