[实用新型]滤波器组件

说明书

一种滤波器组件包括基板、背盖件及声波振荡组件。基板具有多个硅通孔贯穿基板；背盖件设置于基板的下表面上且覆盖住多个硅通孔；声波振荡组件设置于基板的上表面上。声波振荡组件包括：多个激励电极、钝化层、第一墙体、第二墙体、导电层、多个金属栓塞、及设置于每一个金属栓塞连接组件。在钝化层上的第一墙体内设有多个第一孔洞且裸露出钝化层的部份表面；第二墙体设置于第一墙体上，在对应于钝化层的部份表面上第二墙体内设置有多个第二孔洞，第一墙体的多个第一孔洞的侧壁与部分的第二墙体构成振荡空间。

技术领域

本实用新型为提供一种半导体技术领域，特别是有关一种滤波器组件。

背景技术

滤波器组件的压电薄膜(piezoelectric membrane)和电路均制作于衬底上方，而封装时不宜将滤波器组件倒置，导致只能通过打线接合的方式向外引导电信号。由于打线接合的方式会有互连延时较长、电感大、封装效率低等缺点而不利于滤波器组件的制备。目前渐渐以贯通硅晶穿孔(Through-Silicon Via，以下简称TSV)的封装技术取代打线接合的方式，TSV技术具有更短的互连路径、更低的电阻与电感，以及更有效率地传递讯号与电力，还具有不限制裸晶堆栈数量等优势，互补金属氧化物半导体传感器(CMOS sensor)、内存已在采用TSV技术，未来在基频、射频、滤波器等应用可预期愈来愈广泛。

TSV技术须对衬底钻孔以形成硅通孔，硅通孔须完成于任何半导体工艺之前，因此更有技术上的挑战，例如硅通孔形成困难等等。滤波器组件碍于衬底很薄在钻孔时会遭遇困难，例如受衬底的材质影响而导致热膨胀变化，出现多种层材料的热膨胀系数不匹配而遭遇翘曲的问题；甚至更严重的是对最终产品的结构强度造成破坏。

“背景技术”段落只是用来说明了解本实用新型内容，因此在“背景技术”段落所揭露的内容可能包含一些没有构成所属技术领域中普通技术人员所知道的已知技术。在“背景技术”段落所揭露的内容，不代表该内容或者本实用新型一个或多个实施例所要解决的问题，在本实用新型申请前已被所属技术领域中普通技术人员所知晓或认知。

实用新型内容

为了改善现有技术所提及的缺失，本实用新型的目的是提供一种滤波器组件，背面具有背盖件以保护很薄的衬底在晶圆级凸块工艺(wafer level bumping process)中免遭翘曲变形，进而维持较佳的结构强度。

为达上述目的，本实用新型的滤波器(filter)组件包括衬底、背盖件、及声波振荡组件(acoustic wave device)。衬底具有上表面及下表面且具有多个硅通孔贯穿衬底；背盖件设置于衬底的下表面上且覆盖住多个硅通孔；声波振荡组件设置于衬底的上表面上。声波振荡组件包括：多个激励电极(excitation electrode)设置于衬底的上表面，对准于衬底的多个硅通孔；钝化层设置于衬底的上表面，暴露出衬底的部份上表面，钝化层与相邻的激励电极之间具有间隔距离；第一墙体设置于钝化层上及于相邻的每两个激励电极之间，在钝化层上的第一墙体内设有多个第一孔洞(via)且裸露出钝化层的部份表面；第二墙体设置于第一墙体上，在对应于钝化层的部份表面上第二墙体内设置有多个第二孔洞，多个第二孔洞与多个第一孔洞对准并连通，使得第一墙体的多个第一孔洞的侧壁与部分的第二墙体构成振荡空间；导电层(conductive layer)设置于第一墙体的每一个第一孔洞及第二墙体的每一个第二孔洞所裸露出的钝化层上；多个金属栓塞(metal plug)设置于第一墙体的每一个第一孔洞及第二墙体的每一个第二孔洞内且与导电层连接；连接组件设置于每一个金属栓塞上。

基于上述，本实用新型的滤波器组件于衬底的下表面设置有背盖件，可平衡滤波器组件的正面侧与背面侧所受的压力免遭翘曲变形，且在进行晶圆级凸块工艺期间可以保护声波振荡组件遭受真空破坏而变形、显影液所引起的污染及化学物质损坏。

附图说明

图1A是根据本实用新型所述的技术，表示具有滤波器组件的衬底的正面的示意图。