[实用新型]晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴

说明书

本实用新型属于晶圆清洗领域，具体地说是一种晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴，喷嘴内芯上开设有液体通道，液体由液体通道的一端进入、由位于另一端的喷液口喷出；喷嘴内芯的一端插设于喷嘴外壳中，喷嘴外壳的一端与喷嘴内芯连接，另一端内部连接有喷嘴内塞，喷嘴内塞位于喷嘴外壳与喷嘴内芯之间；喷嘴内塞和喷嘴内芯之间以及喷嘴内塞和喷嘴外壳之间均留有供惰性气体流通的空间，喷嘴外壳上分别开设有与两个空间相连通的惰性气体进气口，喷嘴内塞上开设有布风孔，两个空间通过布风孔连通，两个空间内的惰性气体在布风孔内侧汇合。本实用新型通过改变惰性气体旋转方向及惰性气体加速度，同时配合清洗化学液流量，既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆。

技术领域

本实用新型属于晶圆清洗领域，具体地说是一种晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴。

背景技术

芯片制造领域，从90纳米以下起，芯片制造的良率就开始有所下降，主要原因之一就在于硅片上的颗粒物污染难以清洗。随着线越做越细，到了45纳米以下，基本上整个工艺中，每两步就要做一次清洗；如果想得到较高良率，几乎每步工序都离不开清洗。随着半导体工艺由2D走向3D，硅片清洗提出了新挑战，图形结构晶圆清洗相较于平坦表面的清洗，技术和要求都要复杂得多。随着线宽减小，深宽比的增加，清洗工艺难度也迅速增大，硅片清洗的重要程度日益凸显。为了提高晶圆制程的良率，急需一种既对晶圆损伤小，又可以高效清洗晶圆表面的清洗装置。

实用新型内容

为了满足晶圆表面清洗要求、提高晶圆制程的良率，本实用新型的目的在于提供一种晶圆表面颗粒清洗单旋喷嘴。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

本实用新型包括喷嘴内芯、喷嘴外壳及喷嘴内塞，其中喷嘴内芯上开设有液体通道，液体由该液体通道的一端进入、由位于另一端的喷液口喷出；所述喷嘴内芯的一端插设于喷嘴外壳中，该喷嘴外壳的一端与所述喷嘴内芯连接，另一端内部连接有喷嘴内塞，所述喷嘴内塞位于喷嘴外壳与喷嘴内芯之间；所述喷嘴内塞和喷嘴内芯之间以及喷嘴内塞和喷嘴外壳之间均留有供惰性气体流通的空间，该喷嘴外壳上分别开设有与喷嘴内塞和喷嘴内芯之间的空间以及与喷嘴内塞和喷嘴外壳之间的空间相连通的惰性气体进气口，所述喷嘴内塞上开设有布风孔，喷嘴内塞和喷嘴内芯之间的空间与喷嘴内塞和喷嘴外壳之间的空间通过该布风孔连通，喷嘴内塞和喷嘴外壳之间的空间内的惰性气体通过所述布风孔呈旋转状向喷嘴内塞和喷嘴内芯之间的空间内进气，与喷嘴内塞和喷嘴内芯之间的空间内的惰性气体汇合后，由所述喷液口外围的惰性气体出口喷出，对由所述喷液口喷出的液体雾化，晶圆表面通过被雾化后的液体进行清洗；

其中：所述喷嘴内塞上的布风孔为多个，沿圆周方向均布，每个布风孔均呈“L”形，该“L”形的竖边沿所述喷嘴内塞的轴向开设，“L”形的横边沿喷嘴内塞的径向开设，且该“L”形的横边倾斜于“L”形的竖边；

各所述布风孔的“L”形横边的倾斜方向均相同，所述喷嘴内塞和喷嘴外壳之间的空间内的惰性气体以顺时针旋转或逆时针旋转向喷嘴内塞和喷嘴内芯之间的空间内进气；

所述喷嘴内塞与喷嘴内芯之间的空间的上部为惰性气体垂直加速区间、下部为位于布风孔内侧的汇合空间，中间为过渡段；

所述惰性气体垂直加速区间及汇合空间均为圆柱状，所述过渡段为锥台状，该汇合空间的内径大于所述惰性气体垂直加速区间的内径；所述惰性气体出口位于汇合空间的下方，并环绕于所述喷液口的外围；

所述喷嘴外壳上沿径向开设有惰性气体进气口A，该惰性气体进气口A与所述惰性气体垂直加速区间的上部相连通；

所述喷嘴内塞的一端与喷嘴外壳另一端的内部螺纹连接或过盈配合，该喷嘴内塞的另一端沿圆周方向均布有多个布风孔；

所述喷嘴外壳与喷嘴内塞之间的空间为惰性气体旋转环腔，该惰性气体旋转环腔环绕于所述喷嘴内塞的外围；所述喷嘴外壳上沿径向开设有惰性气体进气口B，该惰性气体进气口B与所述惰性气体旋转环腔相连通；