[实用新型]一种IGBT电路模块有效
申请号: | 201920582703.8 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN210201803U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 徐之文;薛英杰;邱瑞鑫;车兰秀 | 申请(专利权)人: | 广州华工科技开发有限公司 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081;H03K17/567 |
代理公司: | 佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 电路 模块 | ||
本实用新型实施例公开了一种IGBT电路模块,所述IGBT电路模块包括:第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四IGBT单元、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、第三IGBT驱动电路、第四IGBT驱动电路、脉冲检测单元、同步配置缓存器、同步配置寄存器。在本实用新型实施例中,使用同步信号机制,引入缓存器和寄存器来同时触发多个IGBT驱动电路在受到信号驱使时,实现同步驱动功能。
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种IGBT电路模块。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET 驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT驱动电路是控制IGBT工作的重要电路,它对IGBT的正常运行具有非常重要的影响,采用一套性能良好的驱动电路可缩短开关时间,减少开关损耗,使IGBT工作在较理想的开关状态下,同时对产品的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。在有多个IGBT单元状态下,现有控制器电路结构无法同步实现对IGBT单元的同步运行,需要引入相应的同步电路机制。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种 IGBT电路模块,使用同步信号机制,引入缓存器和寄存器来同时触发多个 IGBT驱动电路在受到信号驱使时,实现同步驱动功能。
为了解决上述问题,本实用新型提出了一种IGBT电路模块,所述IGBT 电路模块包括:第一IGBT单元、第二IGBT单元、第三IGBT单元、第四 IGBT单元、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、第三IGBT驱动电路、第四IGBT驱动电路、脉冲检测单元、同步配置缓存器、同步配置寄存器,其中:所述第一IGBT单元连接所述第一IGBT驱动电路,所述第二 IGBT单元连接所述第二IGBT驱动电路,所述第三IGBT单元连接所述第三IGBT驱动电路,所述第四IGBT单元连接所述第四IGBT驱动电路,所述脉冲检测单元与同步配置缓存器连接,所述同步配置缓存器与所述同步配置寄存器连接,所述同步配置寄存器连接着所述第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、第三IGBT驱动电路和第四IGBT驱动电路。
所述第一IGBT驱动电路包括:驱动信号产生电路、升压电路、储能电路、放电电路及负压生成电路,所述驱动信号产生电路的输出端与所述升压电路的输入端连接,所述升压电路的输出端与所述储能电路的输入端连接;所述储能电路的输出端与IGBT的受驱动端连接;所述负压生成电路的输入端与所述升压电路的输出端连接,所述负压生成电路的输出端经所述放电电路与所述储能电路的放电端连接。
所述第二IGBT驱动电路包括:驱动信号产生电路、升压电路、储能电路、放电电路及负压生成电路,所述驱动信号产生电路的输出端与所述升压电路的输入端连接,所述升压电路的输出端与所述储能电路的输入端连接;所述储能电路的输出端与IGBT的受驱动端连接;所述负压生成电路的输入端与所述升压电路的输出端连接,所述负压生成电路的输出端经所述放电电路与所述储能电路的放电端连接。
所述第三IGBT驱动电路包括:驱动信号产生电路、升压电路、储能电路、放电电路及负压生成电路,所述驱动信号产生电路的输出端与所述升压电路的输入端连接,所述升压电路的输出端与所述储能电路的输入端连接;所述储能电路的输出端与IGBT的受驱动端连接;所述负压生成电路的输入端与所述升压电路的输出端连接,所述负压生成电路的输出端经所述放电电路与所述储能电路的放电端连接.
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