[实用新型]具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池

说明书

本实用新型公开了一种具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，包括：N型衬底，所述N型衬底的正面依次向上设置有P型扩散层、SiO2层、钝化层和正金属电极，所述N型衬底的背面依次向下设置有遂穿SiO2层、磷掺杂N型硅薄层、第一透明导电层和背金属电极，所述第一透明导电层与磷掺杂N型硅薄层之间夹设负电引导极。本实用新型通过增加透明导电层，可以使电池片接收阳光的受光率提高，同时因其导电特性，可以降低串联电阻，提高太阳能电池的短路电流和填充因子。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池。

背景技术

自从第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，硅太阳能电池得到了广泛的研究发展以及实际应用，特别是晶体硅太阳能电池，随着科学技术的不断发展，晶体硅太阳能电池的光电转换效率不断提升，生产成本也在持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的百分之八十以上，晶体硅太阳能电池片的产线光电转换效率目前也已突破22％，与传统火力发电的成本差也在不断缩小，在未来几年有望与火力发电的成本持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁无污染能源在改变能源结构、减少环境污染、实现可持续发展等方面的重要作用日益显现。按基材的掺杂类型不同，可以将晶体硅太阳能电池分为N型晶体硅太阳能和P型晶体硅太阳能电池，如何改变晶体硅太阳能电池的结构，以进一步提高其光电转换效率，这是业界广泛关注的问题。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述现有技术中存在的技术问题，提出一种具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池。

本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提出一种具有透明导电层的单多晶N型双面TOPCON电池，包括：N型衬底，所述N型衬底的正面依次向上设置有P型扩散层、SiO2层、钝化层和正金属电极，所述N型衬底的背面依次向下设置有遂穿SiO2层、磷掺杂N型硅薄层、第一透明导电层和背金属电极，所述第一透明导电层与磷掺杂N型硅薄层之间夹设负电引导极。

进一步的，所述正金属电极与钝化层之间设有SiN层或第二透明导电层。

进一步的，当所述正金属电极与钝化层之间设置第二透明导电层时，所述第二透明导电层与钝化层之间夹设正电引导极。

优选地，所述N形衬底为N型单多晶硅片，所述N型单多晶硅片的厚度为150-300微米。

优选地，所述正电引导极和正金属电极都为栅格状，并且所述正电引导极和正金属电极的图形大小形状相同、并且在铅锤方向重叠一致。

优选地，所述P型扩散层的电阻在50至100欧姆/□之间。

优选地，所述遂穿SiO2层厚度为在1~30纳米之间。

优选地，所述SiO2层的厚度在1到20纳米之间。

优选地，所述钝化层的材质为氧化铝和/或氮氧化硅。

优选地，所述第一透明导电层和第二透明导电层为ITO层或IWO层。

与现有技术比较，本实用新型的优点在于：通过增加透明导电层，可以使电池片接收阳光的受光率提高，同时因其导电特性，可以降低串联电阻，提高太阳能电池的短路电流和填充因子。并通过优化太阳能电池中的各部分的具体尺寸与材质，使得本实用新型的太阳能电池的光电转换效率达到最优。同时制造方法简单易行，且与现有的制备工艺兼容，便于工业化生产。

附图说明

图1为本实用新型的采用一层透明导电层的结构示意图；

图2为本实用新型的采用SiN层的结构示意图；

图3为本实用新型的采用两层透明导电层的结构示意图；